半导体封装制造技术

一种半导体封装，包括：封装基板；封装基板上的逻辑芯片；封装基板上的存储器堆叠结构，包括沿第一方向堆叠的第一导体芯片和第二半导体芯片；以及封装基板和存储器堆叠结构之间的第一凸块。逻辑芯片和存储器堆叠结构沿着与第一方向交叉的第二方向在封装基板上间隔开。第一半导体芯片包括：电连接到第二半导体芯片的穿通孔、连接到穿通孔的芯片信号焊盘、以及电连接到芯片信号焊盘且具有与第一凸块接触的边缘信号焊盘的第一再分布层。沿第二方向的逻辑芯片和边缘信号焊盘之间的距离小于逻辑芯片和芯片信号焊盘之间的距离。

Semiconductor Packaging

【技术实现步骤摘要】
半导体封装相关申请的交叉引用于2018年2月6日在韩国知识产权局提交的标题为“SemiconductorPackage”的韩国专利申请No.10-2018-0014677通过引用整体并入本文中。
实施例涉及一种半导体封装，更具体地，涉及其中逻辑芯片和存储器堆叠结构并排在基板上的半导体封装。
技术介绍
通常，半导体封装包括安装在印刷电路板(PCB)上的半导体芯片以及将半导体芯片电连接到印刷电路板的接合线或凸块。
技术实现思路
根据示例性实施例，半导体封装可以包括：封装基板、封装基板上的逻辑芯片、封装基板上的存储器堆叠结构、以及封装基板与存储器堆叠结构之间的第一凸块。存储器堆叠结构可以包括第一半导体芯片、以及沿第一方向堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。存储器堆叠结构可以沿第二方向与逻辑芯片间隔开，第二方向与第一方向交叉。第一半导体芯片可以包括：穿通孔，电连接到第二半导体芯片；芯片信号焊盘，连接到穿通孔；以及第一再分布层，电连接到芯片信号焊盘，并具有与第一凸块接触的边缘信号焊盘。沿第二方向的逻辑芯片和边缘信号焊盘之间距离小于逻辑芯片和芯片信号焊盘之间的距离。根据示例性实施例，半导体封装可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：封装基板；所述封装基板上的逻辑芯片；所述封装基板上的存储器堆叠结构，所述存储器堆叠结构包括第一半导体芯片、以及沿第一方向堆叠在所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片，所述存储器堆叠结构沿第二方向与所述逻辑芯片间隔开，所述第二方向与所述第一方向交叉；以及所述封装基板与所述存储器堆叠结构之间的第一凸块，其中，所述第一半导体芯片包括：穿通孔，电连接到所述第二半导体芯片；芯片信号焊盘，连接到所述穿通孔；以及第一再分布层，电连接到所述芯片信号焊盘，并具有与所述第一凸块接触的边缘信号焊盘，其中，沿所述第二方向，所述逻辑芯片与所述边缘信号焊盘之间的距离小于所述逻辑芯片与所述芯片信号焊...

【技术特征摘要】
2018.02.06 KR 10-2018-00146771.一种半导体封装，包括：封装基板；所述封装基板上的逻辑芯片；所述封装基板上的存储器堆叠结构，所述存储器堆叠结构包括第一半导体芯片、以及沿第一方向堆叠在所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片，所述存储器堆叠结构沿第二方向与所述逻辑芯片间隔开，所述第二方向与所述第一方向交叉；以及所述封装基板与所述存储器堆叠结构之间的第一凸块，其中，所述第一半导体芯片包括：穿通孔，电连接到所述第二半导体芯片；芯片信号焊盘，连接到所述穿通孔；以及第一再分布层，电连接到所述芯片信号焊盘，并具有与所述第一凸块接触的边缘信号焊盘，其中，沿所述第二方向，所述逻辑芯片与所述边缘信号焊盘之间的距离小于所述逻辑芯片与所述芯片信号焊盘之间的距离。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：所述第一半导体芯片具有与所述逻辑芯片相邻的第一区域、以及在所述第一半导体芯片的中心处的第二区域，所述边缘信号焊盘在所述第一区域上，并且所述芯片信号焊盘在所述第二区域上。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中：所述芯片信号焊盘包括多个芯片信号焊盘，所述多个芯片信号焊盘中的第一信号焊盘在所述第一区域上，并且所述多个芯片信号焊盘中的第二信号焊盘在所述第二区域上。4.根据权利要求2所述的半导体封装，其中：所述第一半导体芯片还具有第三区域，所述第三区域沿所述第二方向在所述第一区域与所述第二区域之间，所述第一再分布层还包括边缘电源焊盘，所述边缘电源焊盘连接到所述封装基板并被提供有电源电压或接地电压，所述边缘电源焊盘在所述第三区域上。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一再分布层沿所述第一方向与所述存储器堆叠结构间隔开。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一再分布层还包括：导电线，所述导电线沿所述第二方向从所述芯片信号焊盘朝向所述边缘信号焊盘延伸，并且将所述芯片信号焊盘和所述边缘信号焊盘彼此电连接。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述封装基板包括路由线，通过所述路由线在所述逻辑芯片与所述边缘信号焊盘之间传输输入/输出信号。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：所述第二半导体芯片包括第二再分布层，所述第二再分布层的结构与所述第一再分布层的结构基本相同，并且所述第二再分布层的边缘信号焊盘为虚设焊盘。9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中：所述存储器堆叠结构还包括所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间的第二凸块，并且所述第二半导体芯片的中心处的芯片信号焊盘与所述第二凸块接触，所述芯片信号焊盘沿所述第二方向与所述第二再分布层的边缘信号焊盘间隔开。10.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括所述封装基板与所述逻辑芯片之间的第二凸块，其中所述逻辑芯片具有面对所述存储器堆叠结构的第一侧壁，所述逻辑芯片包括与所述第一侧壁相邻且与所述第二凸块接触的逻辑信号焊盘，并且所述逻辑...

【专利技术属性】
技术研发人员：金容勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR