半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提出一种半导体器件，包括：衬底，位于所述衬底上的介质层，位于所述介质层的势垒层，位于介质层凹槽内与所述势垒层相接触的第一栅极，位于所述势垒层上的缓冲层和位于所述缓冲层上的源极、漏极和第二栅极，所述源极和漏极分别位于所述第二栅极的两侧。本申请所提供的半导体器件实现了背栅结构，背栅与二维电子气之间只间隔了一层很薄的势垒层，减小背栅与二维电子气之间的距离，增强对沟道的控制能力。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种半导体器件。
技术介绍
以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)为代表的化合物半导体材料具有许多优良的特性，如高临界击穿电场、高电子迁移率、高二维电子气浓度和良好的高温工作能力等。基于化合物半导体的高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质结构场效应晶体管(HFET)等器件已经得到了广泛应用，尤其在射频、微波等需要大功率和高频率的领域具有明显优势。背栅结构的化合物半导体是在传统的源、漏、栅三极化合物半导体的基础上，在导电沟道的背面增加一个栅极，此栅极通常被称为背栅。在两个栅极的同时控制下，导电沟道可以被很好的控制，从而降低漏电或者增加对沟道电流的调制能力。但是，在化合物半导体领域，尚无可实用的背栅型晶体管器件。
技术实现思路
基于此，为了实现针对化合物半导体特别是氮化镓大功率背栅型晶体管，提出一种新的半导体器件结构。本申请提出一种半导体器件，包括：衬底，位于所述衬底上的介质层，位于所述介质层的势垒层，位于介质层凹槽内与所述势垒层相接触的第一栅极，位于所述势垒层上的缓冲层和位于所述缓冲层上的源极、漏极和第二栅极，所述源极和漏极分别位于所述第二栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底上的介质层，位于所述介质层的势垒层，位于介质层凹槽内与所述势垒层相接触的第一栅极，位于所述势垒层上的缓冲层和位于所述缓冲层上的源极、漏极和第二栅极，所述源极和漏极分别位于所述第二栅极的两侧。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底上的介质层，位于所述介质层的势垒层，位于介质层凹槽内与所述势垒层相接触的第一栅极，位于所述势垒层上的缓冲层和位于所述缓冲层上的源极、漏极和第二栅极，所述源极和漏极分别位于所述第二栅极的两侧。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层上还设有用于减少所述第二栅极漏电流的介...

【专利技术属性】
技术研发人员：范谦，倪贤锋，何伟，
申请(专利权)人：苏州汉骅半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32