温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型提出一种半导体器件，包括：衬底，位于所述衬底上的介质层，位于所述介质层的势垒层，位于介质层凹槽内与所述势垒层相接触的第一栅极，位于所述势垒层上的缓冲层和位于所述缓冲层上的源极、漏极和第二栅极，所述源极和漏极分别位于所述第二栅极的两...
该专利属于苏州汉骅半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州汉骅半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。