本发明公开了一种垂直型功率器件及其制备方法。该功率器件包括漏极；第一缓冲层，位于所述漏极上；补丁层，位于所述第一缓冲层上，用于降低外延孔洞产生的电子泄露；第二缓冲层，位于所述补丁层上；沟道层，位于所述第二缓冲层上；势垒层，位于所述沟道层...

本发明公开了一种微透镜阵列及其制作方法，微透镜阵列的制作方法包括：步骤S1，提供第一衬底，在所述第一衬底上形成图形化的掩膜层；步骤S2，对所述第一衬底进行刻蚀，形成间隔分布的凹槽；步骤S3，去除所述掩膜层；步骤S4，在所述第一衬底上表面...

本发明公开了一种半导体外延结构及制备方法和半导体器件。外延结构包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；增强型缓冲层，所述增强型缓冲层包括第一增强缓冲层和第二增强缓冲层，所述第一增强缓冲层为Si单晶薄膜层，位于所述缓冲层上，所述第二增强缓冲层...

本发明公开了一种深紫外LED芯片及其制备方法，包括：外延结构，所述外延结构包括依次堆叠设置的衬底、N型层、有源发光层、P型层和P型接触层，所述P型层为光反射性的P型层，所述外延结构形成有自所述P型接触层延伸至所述N型层的通孔，所述外延结...

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，包括：第一衬底；第一阻挡层，所述第一阻挡层位于第一衬底上；第二阻挡层，所述第二阻挡层位于所述第一阻挡层上，所述第二阻挡层上沿第一方向间隔设置有多个栅极；势垒层，所述势垒层位于所述第二阻挡层上方并覆...

本发明提供一种倒装深紫外LED，包括：衬底、n型外延层、量子阱层和p型外延层、粗化种层、粗化结构、盖片层、反射层以及p型欧姆接触和n型欧姆接触。本发明中，在所述n型外延层、所述量子阱层和所述p型外延层的侧壁上生长多晶的粗化种层，并且在所...

本发明提供一种半导体器件，包括：依次堆叠的衬底、缓冲层、沟道层、第一势垒层、刻蚀阻挡层和第二势垒层以及栅极、源极和漏极，其中，所述第二势垒层具有n型掺杂且所述第二势垒层中形成有凹槽，所述栅极位于所述凹槽的底壁上，所述源极和所述漏极位于所...

本发明提供一种微流芯片的制造方法，包括：提供衬底和盖片；在所述衬底上设置第一标记；在所述盖片上设置第二标记；在衬底上形成微流柱组和沟槽；将第一标记和第二标记对准；得到键合结构，所述微流柱组与所述盖片构成微流道；利用混合切割工艺对所述键合...

本发明提供一种垂直腔面发射激光器的制造方法和垂直腔面发射激光器，所述垂直腔面发射激光器的制造方法包括：分别提供形成有介质膜DBR和第一键合层的第一衬底以及形成有阻挡层、重掺杂层、有源层、电流限制层、砷化物DBR的第二衬底；将第三衬底胶粘...

本申请涉及一种深紫外LED，包括：衬底，位于所述衬底上的n型半导体层；依次位于所述n型半导体层上的量子阱层和p型半导体层；以及位于所述n型半导体层上的N电极和位于所述p型半导体层上的P电极；其中，所述n型半导体层包括埋在所述n型半导体层...

本申请提出一种半导体器件，包括：衬底、所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的势垒层，其中，所述势垒层为阶梯状，所述势垒层的每个台阶上设有源极、漏极和栅极。本申请所提出的半导体的器件，通过形成阶梯状的势垒层从而提高器件的线性度。

本实用新型涉及一种鳍型场效应管，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底上的缓冲层和位于所述缓冲层上的势垒层；位于所述势垒层上的源极、漏极和栅极，所述栅极位于所述源极和漏极之间；所述势垒层包括平行且间隔设置的多个鳍，所述鳍位于所述源极与漏极...

本发明涉及一种HEMT结构，包括：衬底；位于所述衬底上的带有铁掺杂的缓冲层；位于所述缓冲层上的掺杂控制层；位于所述掺杂控制层上的非故意掺杂层；以及依次位于所述非故意掺杂层上的沟道层和势垒层。本申请所提出的HEMT结构及其制造方法，通过引...

本发明涉及一种在HEMT器件内制造高结晶质量和高均匀度AlN层的方法，包括：将基板的温度升高到超高的生长温度；在超高生长温度下在衬底上以脉冲形式提供Al源和N源，其中超高生长温度至少为1300℃；其中，在所述脉冲的每个周期中的第一预定时...

本申请提出一种金刚石基氮化镓HEMT结构制造方法，包括：在第一衬底上依次形成牺牲层和阻挡层；在所述阻挡层上生长氮化物外延层，并在所述氮化物外延层表面沉积第一介质层；选取第二衬底，在所述第二衬底上形成第二介质层；将所述第一介质层和第二介质...

本申请提出一种集成增强型和耗尽型的HEMT，包括：衬底；位于所述衬底上的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层上的第一势垒层与第二缓冲层；位于第一势垒层上的第一沟道层；位于所述第二缓冲层的第二势垒层和位于所述第二势垒层的第二沟道层；以及位于第一...

本实用新型涉及本申请提出一种集成增强型和耗尽型的HEMT，包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的第一势垒层和位于第一势垒层上并覆盖部分第一势垒层的第二势垒层，其中，所述第一势垒层的厚度为1nm‑30nm；位于所述第一势垒...

本申请涉及一种深紫外LED，包括：衬底，位于所述衬底上的n型半导体层；依次位于所述n型半导体层上的量子阱层和p型半导体层；以及位于所述n型半导体层上的N电极和位于所述p型半导体层上的P电极；其中，所述n型半导体层包括埋在所述n型半导体层...

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括N个半导体结构，所述半导体结构包括底、位于所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的势垒层以及位于所述势垒层上的源极和漏极；在第一半导体结构上的源极和漏极之间的栅极区域上形成...

本发明涉及一种T型栅制备方法，包括：提供一外延结构，在所述外延结构上依次形成刻蚀阻挡层和第一介质层；对部分所述第一介质层进行刻蚀，使刻蚀停止在刻蚀阻挡层，以形成凹槽；在所述凹槽内和所述第一介质层上形成第二介质层，并对所述第二介质层进行干...