集成增强型和耗尽型的HEMT制造技术

本申请提出一种集成增强型和耗尽型的HEMT，包括：衬底；位于所述衬底上的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层上的第一势垒层与第二缓冲层；位于第一势垒层上的第一沟道层；位于所述第二缓冲层的第二势垒层和位于所述第二势垒层的第二沟道层；以及位于第一沟道层上的第一源极、第一漏极和第一栅极，位于所述第二沟道层上的第二源极、第二漏极和第二栅极。本实用新型专利技术所提出的集成增强型和耗尽型的HEMT，可以将增强型和耗尽型晶体管集成在一起，有利于增加氮化镓HEMT器件的用途，提高电路的特性，并且为实现单片集成高速数字/模拟混合信号射频电路奠定了基础。

Integrated Enhanced and Depleted HEMT

【技术实现步骤摘要】
集成增强型和耗尽型的HEMT
本技术涉及半导体制造
，特别是涉及种集成增强型和耗尽型的HEMT。
技术介绍
作为第三代半导体材料的代表，氮化镓(GaN)具有许多优良的特性，高临界击穿电场、高电子迁移率、高二维电子气浓度和良好的高温工作能力等。基于氮化镓的第三代半导体结构，如高电子迁移率场效应管(HEMT)、异质结构场效应场效应管(HFET)等已经得到了应用，尤其在射频、微波等需要大功率和高频率的领域具有明显优势。GaNHEMT主要是应用于通讯行业和电力电子行业，但它在高速数字电路和混合信号领域也有独特的优势。GaNHEMT具有出色的高温稳定性，可以大幅度降低电路在热源和温场控制方面的成本。而GaN的宽禁带特征使得它同时具备高电子饱和速度和高击穿电压，使器件可以在更高的电压之下工作，而这可以提高电路的驱动能力。因此，与传统的硅技术相比，使用GaNHEMT基的数字电路能够满足在大电流电压摆幅和在严酷环境下工作的能力，使得其在相应的领域有潜在的巨大应用。要实现GaNHEMT基的数字电路，就必须实现高性能的氮化镓基的E/DHEMT单片集成。相对于常规的D-mode(耗尽型)GaNHEM本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成增强型和耗尽型的HEMT，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层上的第一势垒层与第二缓冲层；位于第一势垒层上的第一沟道层；位于所述第二缓冲层的第二势垒层和位于所述第二势垒层的第二沟道层；以及位于第一沟道层上的第一源极、第一漏极和第一栅极，位于所述第二沟道层上的第二源极、第二漏极和第二栅极。

【技术特征摘要】
1.一种集成增强型和耗尽型的HEMT，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层上的第一势垒层与第二缓冲层；位于第一势垒层上的第一沟道层；位于所述第二缓冲层的第二势垒层和位于所述第二势垒层的第二沟道层；以及位于第一沟道层上的第一源极、第一漏极和第一栅极，位于所述第二沟道层上的第二源极、第二漏极和第二栅极。2.根据权利要求1所述的集成增强型和耗尽型的HEMT，其特征在于，所述第一势垒层的厚度为1nm-30nm，所述第二势垒层的厚度大于所述第一势垒层且小于100nm。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪贤锋，范谦，何伟，
申请(专利权)人：苏州汉骅半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32