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本申请提出一种集成增强型和耗尽型的HEMT，包括：衬底；位于所述衬底上的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层上的第一势垒层与第二缓冲层；位于第一势垒层上的第一沟道层；位于所述第二缓冲层的第二势垒层和位于所述第二势垒层的第二沟道层；以及位于第一沟道...
该专利属于苏州汉骅半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州汉骅半导体有限公司授权不得商用。

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