一种增强型开关器件及其制造方法技术

一种增强型开关器件及其制造方法，解决了现有增强型开关器件的制造工艺复杂以及稳定性和可靠性差的问题。其中的增强型开关器件包括：衬底(1)；依次设于所述衬底(1)上的沟道层(23)以及势垒层(24)；形成于所述势垒层(24)上的n型半导体层(3)，所述n型半导体层(3)的表面上定义有栅极区域；形成于所述栅极区域且至少部分贯穿所述n型半导体层(3)的凹槽(4)；以及形成于所述n型半导体层(3)表面并至少填充所述凹槽(4)内部的p型半导体材料(5)。

An Enhanced Switching Device and Its Manufacturing Method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，说明书已公开。

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，...

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32