【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体涉及一种发光器件及用于制备发光器件的方法。
技术介绍
1、近年来，发光二极管(light emitting diode，led)迅速发展，相关研究不断深入，尤其是针对gan基材料的研究。
2、目前，gan基led作为发光半导体器件的研究热点，已经具备比较成熟的制备技术，比如衬底转移技术。但衬底转移技术会在激光剥离的过程中，不可避免地对gan外延结构造成一定的损伤，造成发光器件的良率下降，光萃取效率降低。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开提供一种发光器件及用于制备发光器件的方法，以解决现有衬底转移技术造成的发光器件良率下降，光萃取效率降低的问题。
2、第一方面，本公开一实施例提供一种发光器件，该发光器件包括：第一衬底；发光结构层，位于第一衬底上；插入层，位于发光结构层上，其中，插入层远离发光结构层的表面为粗糙化表面，插入层对发光结构层有保护作用。
3、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，插入层在第一衬底上的正投影至少部分覆盖发光结构层在第一衬底上的正投影。
4、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，插入层包括aln或algan。
5、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，发光器件还包括第二过渡层。第二过渡层位于发光结构层与插入层之间，其中，第二过渡层在第一衬底上的正投影至少部分覆盖发光结构层在第一衬底上的正投影。
6、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，发光器件还包括钝
7、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，具有粗糙化表面的插入层的厚度范围为大于0nm小于等于200nm。
8、第二方面，本公开一实施例提供一种用于制备发光器件的方法，该方法包括：在生长衬底的一侧形成外延层，外延层包括在生长衬底一侧依次外延形成的第一过渡层、插入层和发光结构层；在外延层远离生长衬底的一侧键合第一衬底；激光剥离生长衬底，剥离位置在第一过渡层；刻蚀第一过渡层直至插入层，以使插入层远离发光结构层的表面为粗糙化表面。
9、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，插入层在第一衬底上的正投影至少部分覆盖发光结构层在第一衬底上的正投影。
10、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，外延层还包括第二过渡层，其中，第二过渡层形成于插入层和发光结构层之间，第二过渡层在第一衬底上的正投影至少部分覆盖发光结构层在第一衬底上的正投影。
11、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，第一过渡层包括：成核层，和形成于成核层上的缓冲层，成核层位于缓冲层和生长衬底之间，剥离位置位于缓冲层。
12、本公开提供的发光器件，利用插入层远离发光结构层的表面形成的粗糙化表面，提高了光萃取效率。此外，插入层能够在剥离生长衬底的过程中对发光结构层有保护作用，解决了现有衬底转移技术所造成的发光器件良率下降，光萃取效率降低的问题。
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1.一种发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述插入层在所述第一衬底上的正投影至少部分覆盖所述发光结构层在所述第一衬底上的正投影。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，所述插入层包括AlN或AlGaN。
4.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，具有所述粗糙化表面的所述插入层的厚度范围为大于0nm、小于等于200nm。
7.一种用于制备发光器件的方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述插入层在所述第一衬底上的正投影至少部分覆盖所述发光结构层在所述第一衬底上的正投影。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述外延层还包括第二过渡层，其中，所述第二过渡层形成于所述插入层和所述发光结构层之间，所述第二过渡层在所述第一衬底上的正投影至少部分覆盖所述发光结构层在所述第一衬底上
10.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述第一过渡层包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述插入层在所述第一衬底上的正投影至少部分覆盖所述发光结构层在所述第一衬底上的正投影。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，所述插入层包括aln或algan。
4.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，具有所述粗糙化表面的所述插入层的厚度范围为大于0nm、小...
【专利技术属性】
技术研发人员：张丽旸，程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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