【技术实现步骤摘要】
本公开涉及芯片领域，更具体地，涉及芯片中缓存设备的设置。
技术介绍
1、当前，人工智能(artificial intelligence，ai)芯片面临两大困境。首先是摩尔定律正在失效，传统的单芯片集成制造成本越来越高。由于光刻设备掩模版尺寸的限制，芯片面积不能无限增大，因为芯片面积越大意味着良率越低。此外，半导体工艺节点越来越接近物理极限，每一代半导体工艺节点提升对于芯片性能带来的收益也越来越小，摩尔定律已经很难延续。
2、ai芯片性能的另一制约因素是数据的存取。具体而言，运算单元的运算速度通常是存储器存取速度的几十倍乃至几百倍，很多ai芯片所描述的实际算力会因为存储器的瓶颈而大大降低。
技术实现思路
1、本公开的目的至少在于克服现有技术中数据存储速度较慢所带来的瓶颈问题，提供一种性能提升的芯片。
2、根据本公开的第一方面，提供一种芯片，该芯片包括片上系统(system on chip，soc)晶粒，所述soc晶粒包括soc有源侧和soc背侧，所述soc有源侧包括soc有源层和设置在所述soc有源层上的soc-重新分配(redistribution layer，rdl)层；以及多个同级高速缓存晶粒，每个高速缓存晶粒包括缓存有源侧和缓存背侧，所述缓存有源侧包括缓存有源层和设置在所述缓存有源层上的第一缓存-rdl层；其中，所述多个同级高速缓存晶粒并行地设置在所述soc晶粒上，以实现所述同级高速缓存晶粒的同级扩展。
3、根据本公开第二方面，提供一种板卡
4、根据本公开第三方面，提供一种电子设备，包括如上所述的板卡或者如上所述的芯片。
5、本公开的技术方案通过高速缓存晶粒的垂直互连，能够实现高速缓存容量的同级扩展，从而降低ai芯片数据频繁交换导致的延迟和功耗。
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1.一种芯片，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片，其中，所述多个同级高速缓存晶粒为最后一级缓存LLC晶粒。
3.根据权利要求1或2所述的芯片，其中，所述多个同级高速缓存晶粒设置在所述SOC有源侧。
4.根据权利要求3所述的芯片，其中，
5.根据权利要求4所述的芯片，其中，所述SOC-RDL层与所述第一缓存-RDL层接合，从而所述多个同级高速缓存晶粒的缓存有源侧与所述SOC晶粒的有源侧接合。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的芯片，其中，还包括位于所述缓存背侧上的第二缓存-RDL层，所述第二缓存-RDL层包括分立的第一缓存结构，至少一个第一缓存结构上设置有第一连接凸点，所述第一连接凸点与所述SOC有源侧连接。
7.根据权利要求6所述的芯片，其中，所述第一连接凸点通过穿过所述同级高速缓存晶粒的硅通孔TSV与所述SOC有源侧连接。
8.根据权利要求7所述的芯片，其中，所述第一连接凸点通过穿过所述同级高速缓存晶粒的TSV与所述第一缓存-RDL层连接，从而与所述SOC有源侧连接。
9.根据
10.根据权利要求9所述的芯片，其中，所述第二缓存-RDL层还包括位于所述GF第二面上的分立的第二缓存结构，至少一个第二缓存结构上设置有第二连接凸点，所述第二连接凸点与所述SOC有源侧连接。
11.根据权利要求10所述的芯片，其中，所述第二连接凸点通过穿过所述GF层的介质通孔TDV与所述SOC有源侧连接，具体地，与所述SOC有源侧的SOC-RDL层连接。
12.根据权利要求1或2所述的芯片，其中，所述同级高速缓存晶粒设置在所述SOC背侧。
13.根据权利要求12所述的芯片，其中，所述多个同级高速缓存晶粒的缓存有源侧与所述SOC背侧接合，并与所述SOC有源侧连接，从而所述多个同级高速缓存晶粒并行地设置在所述SOC晶粒上。
14.根据权利要求13所述的芯片，其中，所述多个同级高速缓存晶粒的第一缓存-RDL层与所述SOC背侧接合，并通过穿过所述SOC晶粒的TSV与所述SOC-RDL层连接。
15.根据权利要求14所述的芯片，其中，所述SOC-RDL层上设置有多个第三连接凸点，从而所述多个同级高速缓存晶粒的第一缓存-RDL层通过穿过所述SOC晶粒的TSV和所述SOC-RDL层，与所述多个第三连接凸点连接。
16.根据权利要求12-15中任意一项所述的芯片，进一步包括间隙填充介质GF层，所述GF层包括GF第一面和与所述GF第一面相对的GF第二面，所述GF层包围所述多个同级高速缓存晶粒，并且其中，所述GF第一面设置为与所述SOC背侧接合。
17.一种板卡，包括如权利要求1-16中任意一项所述的芯片。
18.一种电子设备，包括如权利要求17所述的板卡或者如权利要求1-16中任意一项所述的芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片，其中，所述多个同级高速缓存晶粒为最后一级缓存llc晶粒。
3.根据权利要求1或2所述的芯片，其中，所述多个同级高速缓存晶粒设置在所述soc有源侧。
4.根据权利要求3所述的芯片，其中，
5.根据权利要求4所述的芯片，其中，所述soc-rdl层与所述第一缓存-rdl层接合，从而所述多个同级高速缓存晶粒的缓存有源侧与所述soc晶粒的有源侧接合。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的芯片，其中，还包括位于所述缓存背侧上的第二缓存-rdl层，所述第二缓存-rdl层包括分立的第一缓存结构，至少一个第一缓存结构上设置有第一连接凸点，所述第一连接凸点与所述soc有源侧连接。
7.根据权利要求6所述的芯片，其中，所述第一连接凸点通过穿过所述同级高速缓存晶粒的硅通孔tsv与所述soc有源侧连接。
8.根据权利要求7所述的芯片，其中，所述第一连接凸点通过穿过所述同级高速缓存晶粒的tsv与所述第一缓存-rdl层连接，从而与所述soc有源侧连接。
9.根据权利要求3-8中任意一项所述的芯片，进一步包括间隙填充介质gf层，所述gf层包括gf第一面和与所述gf第一面相对的gf第二面，所述gf层包围所述多个同级高速缓存晶粒，并且其中，所述gf第一面设置为与所述soc有源侧接合。
10.根据权利要求9所述的芯片，其中，所述第二缓存-rdl层还包括位于所述gf第二面上的分立的第二缓存结构，至少一个第二缓存结构上设置有...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：上海寒武纪信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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