【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，具体涉及一种用于制备半导体结构的方法和半导体结构。
技术介绍
1、第三代半导体的代表材料氮化物材料，尤其是gan、aln材料，均属于宽禁带半导体，在半导体发光二极管(led)、激光二极管(ld)、紫外探测器以及电子功率器件等方面具有广阔的市场应用前景，因而近年来gan基材料和半导体器件已经得到了广泛和深入的研究。
2、目前，在gan基功率半导体器件的制备技术中，其中一个备受关注的技术路线就是通过键合技术和激光剥离把衬底上生长的gan外延结构转移到转移衬底上。但在剥离的过程中通常都不可避免的会对gan外延结构造成一定的损伤，由此在后续过程中易导致半导体器件漏电流的增大以及击穿电压的下降。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种用于制备半导体结构的方法和半导体结构，旨在减弱剥离过程对半导体外延结构的损伤程度，并减小漏电流、提升击穿电压。
2、本申请第一方面提供一种用于制备半导体结构的方法，包括：
3、在生长衬底的一侧形成外延层，外延层包括在生长衬底一侧依次外延形成的第一过渡层、保护层和有源结构层，第一过渡层远离生长衬底的表面为二维平坦表面，保护层在第一平面的正投影至少部分覆盖有源结构层在第一平面的正投影，第一平面垂直于保护层和有源结构层的排列方向；
4、在外延层远离生长衬底的一侧形成转移衬底；
5、激光剥离生长衬底，剥离位置在第一过渡层，外延层转移至转移衬底；
6、刻蚀第一过渡层直至保护层，以
7、根据本申请第一方面的任一实施方式，激光剥离的激光能量大于第一过渡层的带隙能量、且小于保护层的带隙能量。
8、根据本申请第一方面的任一实施方式，保护层包括aln或algan。
9、根据本申请第一方面的任一实施方式，外延形成保护层时，对保护层进行n型掺杂。
10、根据本申请第一方面的任一实施方式，第一过渡层包括gan。
11、根据本申请第一方面的任一实施方式，生长衬底是蓝宝石衬底。
12、本申请第二方面提供一种半导体结构，包括：
13、外延层，外延层包括层叠设置的保护层和有源结构层，保护层在第一平面的正投影至少部分覆盖有源结构层在第一平面的正投影，第一平面垂直于保护层和有源结构层的排列方向，保护层远离有源结构层的表面为平坦化表面；
14、转移衬底，位于有源结构层远离保护层的一侧。
15、根据本申请第二方面的任一实施方式，保护层包括aln或algan。
16、根据本申请第二方面的任一实施方式，保护层为n型掺杂。
17、根据本申请第二方面的任一实施方式，半导体结构还包括：第二过渡层，位于有源结构层与保护层之间，其中，第二过渡层在第一平面的正投影至少部分覆盖有源结构层在第一平面的正投影。
18、本申请提供的用于制备半导体结构的方法中，通过在外延层中设置保护层，同时保护层在第一平面的正投影至少部分覆盖有源结构层在第一平面的正投影，能够在剥离生长衬底的过程中起到对有源结构层的保护作用，减小剥离过程对外延层结构造成的损伤，从而改善半导体结构的应用性能。此外，第一过渡层经历从三维到二维的外延生长过程，使得第一过渡层远离生长衬底的表面为二维平坦表面，通过刻蚀剥离第一过渡层直至到达保护层，使保护层远离有源结构层的表面为平坦化表面，从而制备的半导体结构用作功率器件时可以减小漏电流、提升击穿电压。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于制备半导体结构的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光剥离的激光能量大于所述第一过渡层的带隙能量、且小于所述保护层的带隙能量。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层包括AlN或AlGaN。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，外延形成所述保护层时，对所述保护层进行N型掺杂。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一过渡层包括GaN。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生长衬底是蓝宝石衬底。
7.一种半导体结构，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层包括AlN或AlGaN。
9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层为N型掺杂。
10.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种用于制备半导体结构的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光剥离的激光能量大于所述第一过渡层的带隙能量、且小于所述保护层的带隙能量。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层包括aln或algan。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，外延形成所述保护层时，对所述保护层进行n型掺杂。
5.根据权利要求1所述的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张丽旸，程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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