微型发光芯片及其制作方法技术

本申请涉及一种微型发光芯片及其制作方法，通过在钝化层覆盖透明导电层的区域内形成贯穿钝化层的第一通孔之后，且在钝化层上形成第一电极之前，增加对透明导电层显露于第一通孔的目标区域进行平坦化处理的工艺，使得透明导电层显露于第一通孔的表面较为光滑平整，有效改善了透明导电层显露于第一通孔的表面粗糙度，降低了第一电极与透明导电层之间界面处的接触电阻，更利于电流从第一电极传导至透明导电层，从而透明导电层与第一电极之间形成良好的电接触，提升制备的微型发光芯片的性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种微型发光芯片及其制作方法。

技术介绍

1、micro led(微型发光二极管)显示技术是指以自发光的微米量级的led(发光二极管)为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度led阵列的显示技术。由于microled芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点，与lcd(液晶显示屏)和oled(有机发光二极管)相比，micro led在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。

2、micro led芯片结构主要包括外延层、ito(氧化铟锡)透明导电层、钝化层和电极。micro led芯片生产工艺中，在ito透明导电层上形成电极之前，需要通过刻蚀工艺在钝化层中刻蚀出通孔，以便于后续电极通过通孔与钝化层下方的ito透明导电层电连接。但刻蚀过程中会对ito透明导电层显露于通孔的表面造成损伤，导致ito透明导电层的部分表面较为粗糙，进而导致micro led芯片性能的下降。

3、因此，如何弥补刻蚀工艺给micro led芯片带来的不良影响是亟需解决的问题。>

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微型发光芯片的制作方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的微型发光芯片的制作方法，其特征在于，所述对所述透明导电层显露于所述第一通孔的目标区域进行平坦化处理包括：

3.如权利要求2所述的微型发光芯片的制作方法，其特征在于，还包括：对所述透明导电层的所述目标区域进行化学配比修复处理；

4.如权利要求3所述的微型发光芯片的制作方法，其特征在于，所述预设氧气流量为100sccm至1000sccm。

5.如权利要求2所述的微型发光芯片的制作方法，其特征在于，所述预设温度为200℃至600℃。

6.如权利要求2-5任一项所...

【技术特征摘要】

1.一种微型发光芯片的制作方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的微型发光芯片的制作方法，其特征在于，所述对所述透明导电层显露于所述第一通孔的目标区域进行平坦化处理包括：

3.如权利要求2所述的微型发光芯片的制作方法，其特征在于，还包括：对所述透明导电层的所述目标区域进行化学配比修复处理；

4.如权利要求3所述的微型发光芯片的制作方法，其特征在于，所述预设氧气流量为100sccm至1000sccm。

5.如权利要求2所述的微型发光芯片的制作方法，其特征在于，所述预设温度为200℃至600℃。

6.如权利要求2-5任一项所述的微型发光芯片的制作方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：苟先华，张彬彬，肖峰，苏财钰，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：