半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫，半导体装置还包括基底、顶端与至少一个侧壁，基底相对于顶端，至少一个侧壁连接顶端与基底，门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫分别形成于相对基底另一侧的顶端的平面上，其中源极金属垫与漏极金属垫的至少一部分分别延伸至相邻顶端的侧壁。本实用新型专利技术通过分别延伸门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫的至少一部分至相邻顶端的侧壁，能够减少所制备的半导体装置本身的体积，进而增加制备半导体装置的晶圆的使用效率。

Semiconductor Device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本技术关于一种半导体装置，特别是关于一种具备门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫的半导体装置。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，硅基半导体的技术已非常成熟。然而随着组件尺寸的不断缩小，许多半导体装置也面临到一些来自材料本身所造成的瓶颈。现有的半导体装置中，以功率半导体这种分离式半导体装置为例，一个功率半导体上例如是包括器件区域与金属垫区域，其中器件区域中的各器件採用碳化硅或氮化硅为主要成分组成时具有较佳的功效，因此受到近期宽能隙半导体装置的相关技术人员注目。虽然採用碳化硅或氮化硅作为宽能隙半导体装置中各器件的主要成分能够使得半导体装置的器件尺寸远小于硅材料为原料制备的半导体装置器件，然而金属垫区域却没有适合材料对应缩小尺寸，因此半导体装置的体积仍无法有效缩小，制备半导体装置时一片晶圆上可制备的半导体装置数量仍无法有效增加。因此，有必要提供一种半导体装置，可缩小装置本身的体积以增加实施制造工艺时晶圆的使用效率。
技术实现思路
根据现有技术的缺点，本技术主要目的在于提供一种具备门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫的半导体装置，以减少所制备的半导体装置本身的体积。为达上述一部份或全部目的或是其他目的，本技术的一实施例提供一种半导体装置包括门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫，半导体装置还包括基底、顶端与至少一个侧壁，基底相对于顶端，至少一个侧壁连接顶端与基底，门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫分别形成于相对基底另一侧的顶端的平面上，其中源极金属垫与漏极金属垫的至少一部分分别延伸至相邻顶端的侧壁。在一实施例中，侧壁上的源极金属垫与漏极金属垫分别延伸至与基底接触。在一实施例中，基底还包括由下而上依序堆栈的硅衬底层、氮化铝镓缓冲层与氮化镓主动层，其中源极金属垫与漏极金属垫电性连接于氮化镓主动层。在一实施例中，门极金属垫电性连接于半导体装置的T型门极。在一实施例中，半导体装置为功率半导体。基于上述，本技术的实施例至少具有以下其中一个优点或功效。在本技术的实施例中，门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫分别形成于相对基底另一侧的顶端的平面上，源极金属垫与漏极金属垫的至少一部分分别延伸至相邻顶端的侧壁，如此一来可减少所制备的半导体装置本身的体积，进而增加制备半导体装置的晶圆的使用效率。附图说明图1是根据本技术所揭露的一实施例，表示半导体装置的立体示意图；图2是根据图1的实施例，表示半导体装置的基底的局部剖面示意图；以及图3是根据图1的实施例，表示半导体装置的剖面示意图。具体实施方式有关本技术的前述及其他
技术实现思路
、特点与功效，在以下配合参考附图之一优选实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。为了使本技术的目的、技术特征及优点，能更为相关
人员所了解，并得以实施本技术，在此配合所附的图式、具体阐明本技术的技术特征与实施方式，并列举较佳实施例进一步说明。以下具体实施方式中所对照的附图，为表达与本技术特征有关的示意，并未也不需要依据实际情形完整绘制。而关于具体实施方式的说明中涉及本领域技术人员所熟知的
技术实现思路
，也不再加以陈述。以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本技术。图1是根据本技术的一实施例，表示半导体装置的立体示意图。请参考图1，半导体装置10包括门极金属垫11、源极金属垫12与漏极金属垫13，其中门极金属垫11、源极金属垫12与漏极金属垫13相互分离而互不接触。半导体装置10还包括基底14、顶端15与至少一个侧壁16，基底14相对于顶端15，至少一个侧壁16连接顶端15与基底14，其中门极金属垫11、源极金属垫12与漏极金属垫13分别形成于顶端15的平面151上，本实施例中，门极金属垫11、源极金属垫12与漏极金属垫13例如是共平面，然而本技术不限于此，门极金属垫11、源极金属垫12与漏极金属垫13也可以是位于顶端15的不同平面上。此外，本实施例中，门极金属垫11位于源极金属垫12与漏极金属垫13之间，且源极金属垫12与漏极金属垫13的至少一部分延伸至相邻顶端15的侧壁16上，相较于现有技术的半导体装置将门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫全部配置于顶端，本实施例的半导体装置10中，至少一部分的源极金属垫12与漏极金属垫13延伸至相邻顶端15的侧壁16上，可有效减少半导体装置10本身所占体积，进而增加制备半导体装置10时所用晶圆的使用效率，达到降低成本的效果。举例而言，本实施例中源极金属垫12于顶端15的平面151上的长度x较佳的是1至50μm，源极金属垫12延伸至侧壁16上的长度y较佳的是1至50μm，相较于现有技术即可减少半导体装置10于晶圆上1至50μm的所占长度或宽度。图2是根据图1的实施例，表示半导体装置的基底的局部剖面示意图。请参照图2，基底14例如是以外延(epitaxy)工艺制备，因此又称为外延层(EPILayer)，基底14包括由下而上依序堆栈的衬底层241、缓冲层242以及主动层25。本实施例中，衬底层241例如是硅衬底(Sisubstrate)层，缓冲层242形成于衬底层241之上，其中缓冲层242可以是由多层氮化铝层(AlN)所形成，而在本技术的较佳实施例中，缓冲层242可以是由一层氮化铝层242a与一层氮化铝镓层(AlGaN)242b所形成，其中氮化铝镓层(AlGaN)242b是一种缓变式超晶格的缓冲层，形成在氮化铝层242a之上，使得缓冲层242与衬底层241可以平衡内部的内应力，并消除氮化镓/氮化铝晶格之间的不匹配性造成的线性缺陷。主动层25形成于缓冲层242上，二维电子气27于半导体装置10工作时产生于主动层25，其中主动层25例如是包括依序成长的c-GaN层(carbon-doped-GaN层)25a与没有植入物的i-GaN层(undopedintrinsic-GaN层)25b。最后，在主动层25上方依序形成保护层26和绝缘层28，形成基底14。图3是根据图1的实施例，表示半导体装置10的剖面示意图，图3示意性示出源极金属垫12与漏级金属垫13的结构，但本技术不限于此，图1的门极金属垫11也可以使用类似结构。请同时参考图1、图2与图3，源极金属垫12与漏极金属垫13分别沿着不同的侧面16延伸至与基底14接触，例如是与衬底层241接触。此外，半导体装置10还包括门极21、源极22与漏极23，门极21、源极22与漏极23依序排列于顶端15，且门极21设置于源极23及漏极22之间，门极金属垫11(未绘于图2)电性连接于门极21，源极金属垫12电性连接于源极22，漏极金属垫13电性连接于漏极23，其中门极21例如是T型门极，也可以是其他适当形状的门极，本技术不限于此。本实施例中，保护层26覆盖源极22、漏极23与门极21，部分的门极21凸出于保护层26，绝缘层28与金属层29依序覆盖保护层26与部分的门极21，主动层25堆栈于缓冲层242，主动层25例如是在半导体装置10工作时生成二维电子气27，其中源极金属垫12与漏极金属垫13分别穿过保护层26电性连接于主动层25，例如是分别通过源极22与漏极23电性连接主动层2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫，其特征在于:所述半导体装置还包括基底、顶端与至少一个侧壁，所述基底相对于所述顶端，所述至少一个侧壁连接所述顶端与所述基底，所述门极金属垫、所述源极金属垫与所述漏极金属垫分别形成于相对所述基底另一侧的所述顶端的平面上，其中所述源极金属垫与所述漏极金属垫的至少一部分分别延伸至相邻所述顶端的所述侧壁。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫，其特征在于:所述半导体装置还包括基底、顶端与至少一个侧壁，所述基底相对于所述顶端，所述至少一个侧壁连接所述顶端与所述基底，所述门极金属垫、所述源极金属垫与所述漏极金属垫分别形成于相对所述基底另一侧的所述顶端的平面上，其中所述源极金属垫与所述漏极金属垫的至少一部分分别延伸至相邻所述顶端的所述侧壁。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述侧壁上的所述源极金属垫与所述漏极金属垫分别延伸至与所述基底接触。3.如权利要求2所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：大藤彻，谢明达，
申请(专利权)人：捷苙科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71