半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫，半导体装置还包括基底、顶端与至少一个侧壁，基底相对于顶端，至少一个侧壁连接顶端与基底，门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫分别形成于相对基底另一侧的顶端的平面上，其中源极金属垫与漏极金属垫的至少一部分分别延伸至相邻顶端的侧壁。本实用新型专利技术通过分别延伸门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫的至少一部分至相邻顶端的侧壁，能够减少所制备的半导体装置本身的体积，进而增加制备半导体装置的晶圆的使用效率。

Semiconductor Device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本技术关于一种半导体装置，特别是关于一种具备门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫的半导体装置。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，硅基半导体的技术已非常成熟。然而随着组件尺寸的不断缩小，许多半导体装置也面临到一些来自材料本身所造成的瓶颈。现有的半导体装置中，以功率半导体这种分离式半导体装置为例，一个功率半导体上例如是包括器件区域与金属垫区域，其中器件区域中的各器件採用碳化硅或氮化硅为主要成分组成时具有较佳的功效，因此受到近期宽能隙半导体装置的相关技术人员注目。虽然採用碳化硅或氮化硅作为宽能隙半导体装置中各器件的主要成分能够使得半导体装置的器件尺寸远小于硅材料为原料制备的半导体装置器件，然而金属垫区域却没有适合材料对应缩小尺寸，因此半导体装置的体积仍无法有效缩小，制备半导体装置时一片晶圆上可制备的半导体装置数量仍无法有效增加。因此，有必要提供一种半导体装置，可缩小装置本身的体积以增加实施制造工艺时晶圆的使用效率。
技术实现思路
根据现有技术的缺点，本技术主要目的在于提供一种具备门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫的半导体装置，以减少所制备的半导体装置本身的体积。为达上述一部份或全部目本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫，其特征在于:所述半导体装置还包括基底、顶端与至少一个侧壁，所述基底相对于所述顶端，所述至少一个侧壁连接所述顶端与所述基底，所述门极金属垫、所述源极金属垫与所述漏极金属垫分别形成于相对所述基底另一侧的所述顶端的平面上，其中所述源极金属垫与所述漏极金属垫的至少一部分分别延伸至相邻所述顶端的所述侧壁。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫，其特征在于:所述半导体装置还包括基底、顶端与至少一个侧壁，所述基底相对于所述顶端，所述至少一个侧壁连接所述顶端与所述基底，所述门极金属垫、所述源极金属垫与所述漏极金属垫分别形成于相对所述基底另一侧的所述顶端的平面上，其中所述源极金属垫与所述漏极金属垫的至少一部分分别延伸至相邻所述顶端的所述侧壁。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述侧壁上的所述源极金属垫与所述漏极金属垫分别延伸至与所述基底接触。3.如权利要求2所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：大藤彻，谢明达，
申请(专利权)人：捷苙科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71