霍尔测量结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种霍尔测量结构，包括衬底、设置于衬底上的半导体层、及设置于半导体层上的片电阻感应部、磁场感应部。半导体层具有图案，图案包括电感区、4个焊垫对应区、X字型区、及欧姆接触道，电感区位于X字型区的中心，焊垫对应区两两以电感区为中心，排布在X字型区的对角处；片电阻感应部包括4个焊垫、及待测空间，在第一平面上，每一焊垫覆盖半导体层的每一焊垫对应区；磁场感应部包括待测空间、2个测试垫、及与其中之一测试垫连接的线圈结构，线圈结构环设待测空间的周围，在第一平面上，待测空间曝露出底下的半导体层的电感区；另一测试垫、线圈结构与半导体层的欧姆接触道接触。

【技术实现步骤摘要】
霍尔测量结构
本技术为提供一种霍尔测量结构，特别是以形成在单片集成电路上的霍尔测量结构。
技术介绍
为了量测出半导体Ⅲ-Ⅴ族器件掺杂了载流子的少数载流子迁移率、载流子浓度，需要片电阻量测及霍尔量测。片电阻量测一般采用探针量测法。霍尔量测是通过量测外加磁场中的感应霍尔电压来判断传导载流子的浓度，一般采用凡得瓦(VanderPauw)量测法，所以，样品的几何形状选择显得特别重要。通常需要符合下列条件：样品厚度是均匀的；接点须位于样品的周边，且接点必须相当小。然而，对于集成芯片而言，进行霍尔量测操作时，需要通过不同于集成芯片的外接式霍尔量测机构，经过电源激活已进行电性量测这些外接式的霍尔量测机构不仅让霍尔量测进行变得复杂，而且由于外接式机构体积大且笨重，让霍尔量测机构不易操作。另外，外接式的设备存在许多造成磁场强度量测误差的因素，包含接点的大小、样品均匀性、正确的样品厚度测定、环境温度引起的热磁效应、光电导效应、及光伏效应等等。这些都增加了进行霍尔量测时的成本。
技术实现思路
为了改善现有技术所提及的缺失，本技术的目的是提供一种形成在单片集成电路上的霍尔测量系统，藉此，无需使用外接式的霍尔量测设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种霍尔测量结构，其特征在于，包括：衬底；半导体层，设置于所述衬底上，所述半导体层具有图案，所述图案包括电感区、4个焊垫对应区、X字型区、及欧姆接触道，所述电感区位于所述X字型区的中心，所述焊垫对应区两两以所述电感区为中心，排布在所述X字型区的对角处；片电阻感应部，设置于所述半导体层上，包括4个焊垫、及待测空间，在第一平面上，每一所述焊垫覆盖所述半导体层的每一所述焊垫对应区；以及磁场感应部，设置于所述半导体层上，包括所述待测空间、2个测试垫、及与其中之一所述测试垫连接的线圈结构，所述线圈结构环设所述待测空间的周围，在所述第一平面上，所述待测空间曝露出底下的所述半导体层的所述电感区，另一所述...

【技术特征摘要】
1.一种霍尔测量结构，其特征在于，包括：衬底；半导体层，设置于所述衬底上，所述半导体层具有图案，所述图案包括电感区、4个焊垫对应区、X字型区、及欧姆接触道，所述电感区位于所述X字型区的中心，所述焊垫对应区两两以所述电感区为中心，排布在所述X字型区的对角处；片电阻感应部，设置于所述半导体层上，包括4个焊垫、及待测空间，在第一平面上，每一所述焊垫覆盖所述半导体层的每一所述焊垫对应区；以及磁场感应部，设置于所述半导体层上，包括所述待测空间、2个测试垫、及与其中之一所述测试垫连接的线圈结构，所述线圈结构环设所述待测空间的周围，在所述第一平面上，所述待测空间曝露出底下的所述半导体层的所述电感区，另一所述测试垫、所述线圈结构与所述半导体层的所述欧姆接触道接触。2.如权利要求1所述的霍尔测量结构，其特征在于，所述片电阻感应部与所述磁场感应部是在同一平面上，在所述平面上，每一所述测试垫设置于2个所述焊垫之间，并分别在所述线圈结构的两侧。3.如权利要求1所述的霍尔测量结构，其特征在于，在第二平面上，所述半导体层的所述电感区为...

【专利技术属性】
技术研发人员：大藤彻，谢明达，
申请(专利权)人：捷苙科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71