一种霍尔推力器磁路结构制造技术

本发明专利技术公开了一种霍尔推力器磁路结构，通过在外磁屏、内磁屏和磁屏底座上开孔，以及在磁屏底座和导磁底座之间留有间隙，提高了霍尔推力器放电通道的散热效率，可以降低霍尔推力器热设计的难度；通过对磁屏参数，尤其是扇形孔尺寸的优化，提高了放电通道内的磁场梯度，从而提高了电子利用率和电离效率；同时，通过对扇形孔面积的优化，使磁场径向分量的最大值超出磁屏上端，将离子对陶瓷内、外环的腐蚀溅射效应降到最低，从而最大程度地提高了霍尔推力器的寿命。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种霍尔推力器磁路结构，包括外极靴(1)、外陶瓷环、外磁铁(3)、导磁底座(4)、内极靴(5)、磁屏(6)、内陶瓷环和内磁铁(9)，其中磁屏(6)包括外磁屏(61)和内磁屏(62)，其特征在于，所述磁屏(6)还包括固定在外磁屏(61)和内磁屏(62)形成的空腔底部的磁屏底座(63)，所述磁屏底座(63)与所述导磁底座(4)之间留有间隙；所述外磁屏(61)、内磁屏(62)和磁屏底座(63)上分别有多个开孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨乐，郭宁，贾艳辉，陈娟娟，
申请(专利权)人：兰州空间技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：甘肃;62