用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器，其结构包括：衬底，此衬底为蓝宝石片；碲镉汞材料，该材料经双面粗、精抛处理后生长阳极氧化层；环氧树脂胶，此胶用作把碲镉汞材料与衬底粘结在一起；ZnS钝化层，该层起钝化材料表面和增透的双重作用；霍尔电极，此电极前后共四个，生长在碲镉汞材料上，用作霍尔测试和器件性能测试的信号引出电极；透明栅电极，该电极生长在ZnS钝化层上，通过此电极对器件施加栅压；加厚电极，此电极生长在透明栅电极上。该结构的探测器在器件性能测试和霍尔测试过程中均可施加栅压，获得器件性能最优时所需的栅压、材料载流子浓度、迁移率等电学参数条件，极大缩短器件的研制进程。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器，其结构为：蓝宝石衬底（1）上依次为把n型碲镉汞材料（4）粘结在衬底上的环氧树脂胶（2）、双面具有阳极氧化层（3）的n型碲镉汞材料（4）和ZnS钝化层（6），透明栅电极（7）位于ZnS钝化层（6）上，在透明栅电极（7）上生长有加厚电极（8），4个霍尔电极（5）位于n型碲镉汞材料（4）上；其特征在于：所述的蓝宝石衬底（1）的厚度为280μm；所述的阳极氧化层（3），厚度为80?100nm；所述的n型碲镉汞材料（4）经双面粗、精抛处理，厚度为10?15μm；所述的霍尔电极（5）为Cr和Au复合电极，Cr厚度为20nm，Au厚度为300nm；所述的ZnS钝化层（6）的厚度为200?300nm；所述的透明栅电极（7）为In电极，厚度为10nm；所述的加厚电极（8）为Au电极，厚度为300nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐鹏霄，张可锋，李向阳，刘新智，赵水平，朱龙源，刘福浩，张立瑶，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：实用新型
国别省市：