半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体器件，属于半导体技术领域。该器件包括：半导体衬底；至少一个沟槽，位于所述半导体衬底内；衬里层，覆盖于所述沟槽的内壁，并且为多孔结构；隔离材料，沉积于所述衬里层的上方，填充所述沟槽，并扩散到所述衬里层的孔隙中。本实用新型专利技术的半导体器件的沟槽隔离结构具有较低的内应力，提高了半导体器件的性能及可靠性，且在工艺上易于实现，适用性较强。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件。
技术介绍
在
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。在半导体制造工艺中，经常需要形成沟槽填充的结构，例如在浅沟槽隔离结构中，沟槽内填充氧化物，形成各器件有源区之间的隔离。随着半导体特征尺寸的减小，沟槽深宽比(Aspectratio)的增加，以及对于沟槽轮廓(Re-entrantprofiles)要求的提高，传统的化学气相沉积(CVD)工艺已难以胜任沟槽填充的工作，目前较多采用旋涂介电层(SOD)或流体化学气相沉积(FCVD)工艺在沟槽内沉积可流动的填充物，然后通过退火等热处理工艺对填充物进行固化，可以实现沟槽的完全填充。
技术实现思路
现有的沟槽填充工艺需要在填充后进行热处理，由于热处理时沟槽填充物结构或组分的变化，通常会引起体积膨胀，产生较大的内应力，从而降低半导体器件的可靠性，严重时可能如图1的俯视图所示，填充物的内应力导致周围的有源区1发生位移，影响半导体器件的性能。本技术的目的在于提供一种半导体器件，进而至少在一定程度上克服现有的半导体器件中沟槽内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；至少一个沟槽，位于所述半导体衬底内；衬里层，覆盖于所述沟槽的内壁，并且为多孔结构；隔离材料，沉积于所述衬里层的上方，填充所述沟槽，并扩散到所述衬里层的孔隙中。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；至少一个沟槽，位于所述半导体衬底内；衬里层，覆盖于所述沟槽的内壁，并且为多孔结构；隔离材料，沉积于所述衬里层的上方，填充所述沟槽，并扩散到所述衬里层的孔隙中。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬里层的厚度为所述沟槽宽度的2...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34