温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型提供了一种半导体器件，属于半导体技术领域。该器件包括：半导体衬底；至少一个沟槽，位于所述半导体衬底内；衬里层，覆盖于所述沟槽的内壁，并且为多孔结构；隔离材料，沉积于所述衬里层的上方，填充所述沟槽，并扩散到所述衬里层的孔隙中。本实用...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。