浅沟槽隔离结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种浅沟槽隔离结构及其制造方法，包括：首先，形成氮化掩膜层于一衬底上，并刻蚀所述氮化掩膜层和所述衬底，以形成沟槽；然后，填充隔离氧化层于所述沟槽中，所述隔离氧化层填满所述沟槽，并将所述氮化掩膜层掩埋在内；然后，向所述隔离氧化层进行离子注入，以使得所述沟槽中的隔离氧化层的部分高度区域均转化为第一阻挡层；最后，去除所述氮化掩膜层并去除所述第一阻挡层上方的隔离氧化层，以形成浅沟槽隔离结构。本发明专利技术提供的技术方案阻挡了氢氟酸等刻蚀剂对所述浅沟槽隔离结构的台阶的刻蚀，以对所述浅沟槽隔离结构的台阶高度进行准确地控制，进而提高器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
浅沟槽隔离结构及其制造方法
本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种浅沟槽隔离结构及其制造方法。
技术介绍
在集成电路制造领域，台阶高度(stepheight)是一个很重要的参数，控制好台阶高度可以给后续工艺(例如栅极光刻的焦深、栅极刻蚀等)增加很多工艺窗口(processmargin)。在现有的工艺技术中，一般是先通过浅沟槽隔离(STI)制程定义初始的台阶高度，参阅图1中的衬底11上的浅沟槽隔离12的台阶高度S1；再通过后续氢氟酸的刻蚀来控制浅沟槽隔离的台阶高度。在实际的工艺过程中，一般会有多次的氢氟酸刻蚀，而每经过一次氢氟酸刻蚀之后，浅沟槽隔离的台阶高度都会不同，如何通过控制氢氟酸的刻蚀工艺(例如氢氟酸的用量)来控制台阶高度是个很困难的问题。例如，如果氢氟酸的用量过少，导致台阶高度过高时，可能会在后续对栅极刻蚀的工艺中导致浅沟槽隔离的台阶与衬底形成的拐角处残留多晶硅；如果氢氟酸的用量过多，可能会导致浅沟槽隔离的台阶低于衬底的顶表面，这样会导致在硅化镍沉积工艺时，硅化镍沉积在浅沟槽隔离的位置的衬底的侧壁上，因此，每次采用氢氟酸进行刻蚀时都需准确地控制氢氟酸的用量。而在实际的生产本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括：形成氮化掩膜层于一衬底上，并刻蚀所述氮化掩膜层和所述衬底，以形成沟槽；填充隔离氧化层于所述沟槽中，所述隔离氧化层填满所述沟槽，并将所述氮化掩膜层掩埋在内；向所述隔离氧化层进行离子注入，以使得所述沟槽中的隔离氧化层的部分高度区域均转化为第一阻挡层，且使所述第一阻挡层的底表面高于所述衬底的顶表面，所述第一阻挡层的顶表面低于所述氮化掩膜层的顶表面；以及，去除所述氮化掩膜层并去除所述第一阻挡层上方的隔离氧化层，以形成浅沟槽隔离结构。

【技术特征摘要】
1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括：形成氮化掩膜层于一衬底上，并刻蚀所述氮化掩膜层和所述衬底，以形成沟槽；填充隔离氧化层于所述沟槽中，所述隔离氧化层填满所述沟槽，并将所述氮化掩膜层掩埋在内；向所述隔离氧化层进行离子注入，以使得所述沟槽中的隔离氧化层的部分高度区域均转化为第一阻挡层，且使所述第一阻挡层的底表面高于所述衬底的顶表面，所述第一阻挡层的顶表面低于所述氮化掩膜层的顶表面；以及，去除所述氮化掩膜层并去除所述第一阻挡层上方的隔离氧化层，以形成浅沟槽隔离结构。2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述隔离氧化层的材质包括二氧化硅，所述氮化掩膜层的材质包括氮化硅。3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述氮化掩膜层和所述衬底之间还形成有垫氧化层，所述第一阻挡层的底表面高于所述垫氧化层的顶表面。4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，填充所述隔离氧化层于所述沟槽中之前，先依次形成线氧化层和线氮化层于所述沟槽中。5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述离子注入的离子种类包括氮、硅、碳、钛、钴中的一种或多...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵东光，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42