晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法。该方法包含：第1切削槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线通过第1切削刀具形成深度相当于器件芯片的完工厚度的第1切削槽；密封工序，利用密封材料将晶片的正面密封；磨削工序，从晶片的背面侧将晶片磨削至器件芯片的完工厚度而使第1切削槽中的密封材料露出；对准工序，通过可见光拍摄构件从晶片的正面侧透过密封材料来检测对准标记，根据对准标记检测待切削的分割预定线；和分割工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线通过第2切削刀具切割第1切削槽中的密封材料，将晶片分割成正面和4个侧面被密封材料围绕的各个器件芯片，一边通过倾斜光构件对可见光拍摄构件所拍摄的区域斜着照射光，一边实施对准工序。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，对晶片进行加工而形成5S模制封装。
技术介绍
作为实现LSI或NAND型闪存等各种器件的小型化和高密度安装化的构造，例如，对器件芯片按照芯片尺寸进行封装而得的芯片尺寸封装(CSP)已被用于实际的使用中，并被广泛地使用于移动电话、智能手机等。此外，近年来，在该CSP中，开发并实用化了不仅利用密封材料将芯片的正面密封还将整个侧面密封的CSP，即，所谓的5S模制封装。以往的5S模制封装是通过以下工序制作的。(1)在半导体晶片(以下，有时大致称为晶片)的正面上形成被称为器件(电路)和凸块的外部连接端子。(2)从晶片的正面侧沿着分割预定线对晶片进行切削，形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽。(3)利用含有炭黑的密封材料将晶片的正面密封。(4)将晶片的背面侧磨削到器件芯片的完工厚度而使切削槽中的密封材料露出。(5)由于晶片的正面被含有炭黑的密封材料密封，所以将晶片正面的外周部分的密封材料去除而使目标图案等对准标记露出，实施根据该对准标记来检测待切削的分割预定线的对准。(6)根据对准，从晶片的正面侧沿着分割预定线对晶片进行切削，从而分割成正面和整个侧面被密封材料密封的5S模制封装。如上述那样，由于晶片的正面被包含炭黑的密封材料密封，所以形成于晶片正面的器件等完全无法用肉眼看到。为了解决该问题以便能够进行对准，如上述(5)所记载的那样，本申请人开发出如下的技术：将晶片正面的密封材料的外周部分去除而使目标图案等对准标记露出，根据该对准标记来检测待切削的分割预定线，从而执行对准(参照日本特开2013-074021号公报和日本特开2016-015438号公报)。专利文献1：日本特开2013-074021号公报专利文献2：日本特开2016-015438号公报然而，在上述公开公报所记载的对准方法中，需要代替切割用的切削刀具而将边缘修整用的宽度较宽的切削刀具安装于主轴从而将晶片的外周部分的密封材料去除的工序，切削刀具的更换和通过边缘修整来去除外周部分的密封材料需要花费时间和劳力，存在生产性较差的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该点而完成的，其目的在于，提供能够透过包覆于晶片正面的包含炭黑的密封材料来实施对准工序的晶片的加工方法。根据本专利技术，提供晶片的加工方法，该晶片在由交叉形成的多条分割预定线划分的正面的各区域内分别形成有器件，该器件具有多个凸块，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：第1切削槽形成工序，从该晶片的正面侧沿着该分割预定线通过具有第1厚度的第1切削刀具来形成深度相当于器件芯片的完工厚度的第1切削槽；密封工序，在实施了该第1切削槽形成工序之后，利用密封材料将该晶片的包含该第1切削槽的正面密封；磨削工序，在实施了该密封工序之后，从该晶片的背面侧将该晶片磨削至该器件芯片的完工厚度而使该第1切削槽中的该密封材料露出；对准工序，在实施了该磨削工序之后，通过可见光拍摄构件从该晶片的正面侧透过该密封材料来检测对准标记，根据该对准标记来检测待切削的该分割预定线；以及分割工序，在实施了该对准工序之后，从该晶片的正面侧沿着该分割预定线通过具有比该第1切削刀具的该第1厚度小的第2厚度的第2切削刀具对该第1切削槽中的该密封材料进行切削，将该晶片分割成正面和4个侧面被该密封材料围绕的各个器件芯片，一边通过倾斜光构件对该可见光拍摄构件所拍摄的区域斜着照射光，一边实施该对准工序。根据本专利技术的晶片的加工方法，一边利用倾斜光构件斜着照射光，一边通过可见光拍摄构件透过密封材料来检测形成于晶片的对准标记，能够根据对准标记来实施对准，因此能够简单地实施对准工序，无需如以往那样将晶片的正面的外周部分的密封材料去除。因此，从晶片的正面侧通过切削刀具对分割预定线进行切削，从而能够将晶片分割成上表面和4个侧面被密封材料围绕的各个器件芯片。附图说明图1是半导体晶片的立体图。图2是示出第1切削槽形成工序的立体图。图3是示出密封工序的立体图。图4是示出磨削工序的局部剖视侧视图。图5是示出对准工序的剖视图。图6的(A)是示出分割工序的剖视图，图6的(B)是示出分割工序的放大剖视图。标号说明10：切削单元；11：半导体晶片；13：分割预定线；14、14A：切削刀具；15：器件；16：对准单元；17：电极凸块；18：可见光拍摄单元；20：密封材料；23：第1切削槽；25：第2切削槽；26：磨削单元；27：器件芯片；31：倾斜光构件；34：磨削磨轮；38：磨削磨具。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。参照图1，示出了适合通过本专利技术的加工方法来加工的半导体晶片(以下，有时简称为晶片)11的正面侧立体图。在半导体晶片11的正面11a上呈格子状形成有多条分割预定线(间隔道)13。在由垂直的分割预定线13划分出的各区域内形成有IC、LSI等器件15。在各器件15的正面上具有多个电极凸块(以下，有时简称为凸块)17，晶片11在其正面上具有：器件区域19，其形成有分别具有多个凸块17的多个器件15；以及外周剩余区域21，其围绕器件区域19。在本专利技术实施方式的晶片的加工方法中，首先，作为第1工序，实施第1切削槽形成工序，从晶片11的正面侧沿着分割预定线13通过具有第1厚度的第1切削刀具来形成深度相当于器件芯片的完工厚度的第1切削槽。参照图2对该第1切削槽形成工序进行说明。切削单元10具有：切削刀具14，其以能够装卸的方式安装于主轴12的前端部；以及对准单元16，其具有可见光拍摄构件(可见光拍摄单元)18。可见光拍摄单元18具有利用可见光进行拍摄的显微镜和照相机。在实施第1切削槽形成工序之前，首先，实施如下对准：可见光拍摄单元18利用可见光来拍摄晶片11的正面，检测形成于各器件15的目标图案等对准标记，根据该对准标记来检测待切削的分割预定线13。在实施对准之后，实施第1切削槽形成工序，使在箭头R1方向上高速旋转的切削刀具(第1切削刀具)14从晶片11的正面11a侧沿着分割预定线13按照相当于器件芯片的完工厚度的深度切入，并对吸引保持着晶片11的未图示的卡盘工作台在箭头X1方向上进行加工进给，从而沿着分割预定线13形成第1切削槽23。一边按照分割预定线13的间距在与加工进给方向X1垂直的方向上将切削单元10进行分度进给，一边沿着在第1方向上延伸的分割预定线13依次实施该第1切削槽形成工序。接着，在使未图示的卡盘工作台旋转90°之后，沿着在与第1方向垂直的第2方向上延伸的分割预定线13依次实施同样的第1切削槽形成工序。在实施了第1切削槽形成工序之后，实施密封工序，如图3所示，向晶片11的正面11a涂布密封材料20，利用密封材料将包含第1切削槽23的晶片11的正面11a密封。由于密封材料20具有流动性，所以当实施密封工序时，密封材料20被填充到第1切削槽23中。作为密封材料20，其组成按质量％包含环氧树脂或环氧树脂+酚醛树脂10.3％、二氧化硅填料85.3％、炭黑0.1～0.2％、其他成分4.2～4.3％。作为其他成分，例如，包含金属氢氧化物、三氧化锑、二氧化硅等。当利用这种组成的密封材料20来包覆晶片11的正面11a从而将晶片11的正面11a密封时，密封材料20因包含在密封材料20中的极少量的炭黑而呈黑色，因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，该晶片在由交叉形成的多条分割预定线划分的正面的各区域内分别形成有器件，该器件具有多个凸块，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：第1切削槽形成工序，从该晶片的正面侧沿着该分割预定线通过具有第1厚度的第1切削刀具来形成深度相当于器件芯片的完工厚度的第1切削槽；密封工序，在实施了该第1切削槽形成工序之后，利用密封材料将该晶片的包含该第1切削槽的正面密封；磨削工序，在实施了该密封工序之后，从该晶片的背面侧将该晶片磨削至该器件芯片的完工厚度而使该第1切削槽中的该密封材料露出；对准工序，在实施了该磨削工序之后，通过可见光拍摄构件从该晶片的正面侧透过该密封材料来检测对准标记，根据该对准标记来检测待切削的该分割预定线；以及分割工序，在实施了该对准工序之后，从该晶片的正面侧沿着该分割预定线通过具有比该第1切削刀具的该第1厚度小的第2厚度的第2切削刀具对该第1切削槽中的该密封材料进行切削，将该晶片分割成正面和4个侧面被该密封材料围绕的各个器件芯片，一边通过倾斜光构件对该可见光拍摄构件所拍摄的区域斜着照射光，一边实施该对准工序。

【技术特征摘要】
2017.09.08 JP 2017-1728371.一种晶片的加工方法，该晶片在由交叉形成的多条分割预定线划分的正面的各区域内分别形成有器件，该器件具有多个凸块，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：第1切削槽形成工序，从该晶片的正面侧沿着该分割预定线通过具有第1厚度的第1切削刀具来形成深度相当于器件芯片的完工厚度的第1切削槽；密封工序，在实施了该第1切削槽形成工序之后，利用密封材料将该晶片的包含该第1切削槽的正面密封；磨削工序，在实施了该密封工序之后，从该晶片的...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木克彦，伴祐人，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP