【技术实现步骤摘要】
一种不同尺寸的芯片切割方法
本专利技术属于芯片加工领域，具体涉及一种不同尺寸的芯片切割方法。
技术介绍
晶圆切割是半导体芯片制造流程中必不可少的一道工序，用于将做好芯片的晶圆分成单个的芯片（晶粒），在晶圆制造中属于后道工序。在芯片的开发阶段，为测试不同尺寸的芯片性能，往往需要设计多个尺寸的芯片，甚至是不同形状的芯片，但传统生产方法中一片晶圆只包含一种尺寸的芯片，而通过多片晶圆得到多个尺寸的芯片很显然会造成浪费，不规则的形状也会为切割带来困难。此外，刀片切割作为最经济常见的切割方式仍然占据半导体芯片市场主要地位，刀片切割以撞击的方式将晶圆敲碎，再利用刀口将粉末移除，易发生晶圆边缘崩裂及破损，切割宽度较宽，且需要频繁更换刀片，成本高，只能切出方形晶圆，不同尺寸的芯片只能依赖于排版方式。隐形切割属于无接触式加工，直接将硅材料汽化，可切割较薄的晶圆，但激光完全切割耗时长，造价昂贵，虽然能够设计切割路径，实现各个形状切割，但需编程才能实现。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提出一种不同尺寸的芯片切割方法，实现同一晶圆上不同尺寸和形状的芯片切割，解决芯片崩边破碎等问题。本专利技术采用如下技术方案，一种不同尺寸的芯片切割方法，包括以下步骤：一种不同尺寸的芯片切割方法，包括以下步骤：1）在晶圆上形成目标区域的掩膜；目标区域可以为任意尺寸，任意形状；2）将步骤1）处理过的晶圆固定于操作台上；3）进行干法刻蚀，形成深沟槽，去除未被掩膜覆盖的部分；4）去除掩膜；5）取下具有深沟槽的晶圆，用替代材料填充深沟槽；6）对晶圆背面进行研磨直至沟槽处的替代材料露出；7）去除替代材料，...
【技术保护点】
1.一种不同尺寸的芯片切割方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在晶圆上形成目标区域的掩膜；目标区域可以为任意尺寸，任意形状；2）将步骤1）处理过的晶圆固定于操作台上；3）进行干法刻蚀，形成深沟槽，去除未被掩膜覆盖的部分；4）去除掩膜；5）取下具有深沟槽的晶圆，用替代材料填充深沟槽；6）对晶圆背面进行研磨直至沟槽处的替代材料露出；7）去除替代材料，完成芯片切割。
【技术特征摘要】
1.一种不同尺寸的芯片切割方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在晶圆上形成目标区域的掩膜；目标区域可以为任意尺寸，任意形状；2）将步骤1）处理过的晶圆固定于操作台上；3）进行干法刻蚀，形成深沟槽，去除未被掩膜覆盖的部分；4）去除掩膜；5）取下具有深沟槽的晶圆，用替代材料填充深沟槽；6）对晶圆背面进行研磨直至沟槽处的替代材料露出；7）去除替代材料，完成芯片切割。2.根据权利要求1所述的一种不同尺寸的芯片切割方法，其特征在于，所述操作台通过陶瓷吸盘固定晶圆。3.根据权利要求1所述的一种不同尺寸...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘红娟，
申请(专利权)人：镇江微芯光子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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