晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，该方法包含：第1切削槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线通过第1切削刀具形成深度相当于完工厚度的第1切削槽；密封工序，利用密封材料将晶片的正面密封；对准工序，对晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记，根据对准标记检测待切削的分割预定线；第2切削槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线通过具有比第1切削刀具的第1厚度小的第2厚度的第2切削刀具在第1切削槽的密封材料中形成深度相当于完工厚度的第2切削槽；保护部件粘贴工序，在晶片的正面上粘贴保护部件；和分割工序，从晶片的背面侧将晶片磨削至完工厚度而使第2切削槽露出，将晶片分割成正面和4个侧面被密封材料围绕的各个器件芯片。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，对晶片进行加工而形成5S模制封装。
技术介绍
作为实现LSI或NAND型闪存等各种器件的小型化和高密度安装化的构造，例如，对器件芯片按照芯片尺寸进行封装而得的芯片尺寸封装(CSP)已被用于实际的使用中，并被广泛地使用于移动电话、智能手机等。此外，近年来，在该CSP中，开发并实用化了不仅利用密封材料将芯片的正面密封还将整个侧面密封的CSP，即，所谓的5S模制封装。以往的5S模制封装是通过以下工序制作的。(1)在半导体晶片(以下，有时大致称为晶片)的正面上形成被称为器件(电路)和凸块的外部连接端子。(2)从晶片的正面侧沿着分割预定线对晶片进行切削，形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽。(3)利用含有炭黑的密封材料将晶片的正面密封。(4)将晶片的背面侧磨削到器件芯片的完工厚度而使切削槽中的密封材料露出。(5)由于晶片的正面被含有炭黑的密封材料密封，所以将晶片正面的外周部分的密封材料去除而使目标图案等对准标记露出，实施根据该对准标记来检测待切削的分割预定线的对准。(6)根据对准，从晶片的正面侧沿着分割预定线对晶片进行切削，从而分割成正面和整个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，该晶片在由交叉形成的多条分割预定线划分的正面的各区域内分别形成有器件，该器件具有多个凸块，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：第1切削槽形成工序，从该晶片的正面侧沿着该分割预定线通过具有第1厚度的第1切削刀具来形成深度相当于器件芯片的完工厚度的第1切削槽；密封工序，在实施了该第1切削槽形成工序之后，利用密封材料将该晶片的包含该第1切削槽的正面密封；对准工序，在实施了该密封工序之后，通过红外线拍摄构件从该晶片的正面侧透过该密封材料对晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记，根据该对准标记来检测待切削的该分割预定线；第2切削槽形成工序，在实施了该对准工序之后，从该晶片的正...

【技术特征摘要】
2017.09.08 JP 2017-1731871.一种晶片的加工方法，该晶片在由交叉形成的多条分割预定线划分的正面的各区域内分别形成有器件，该器件具有多个凸块，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：第1切削槽形成工序，从该晶片的正面侧沿着该分割预定线通过具有第1厚度的第1切削刀具来形成深度相当于器件芯片的完工厚度的第1切削槽；密封工序，在实施了该第1切削槽形成工序之后，利用密封材料将该晶片的包含该第1切削槽的正面密封；对准工序，在实施了该密封工序之后，通过红外线拍摄构件从该晶片的正面侧透过该密封材料对晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记，根据该对准标记来检测待切削的该分割预定线；第2切削槽形成工序，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木克彦，伴祐人，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP