The invention discloses a composite slicing method for power chips and a semiconductor device, in which the composite slicing method comprises the following steps: forming a slicing groove at the slicing channel position on the front of the wafer, and the slicing groove has a preset depth; laser stealth cutting is carried out at the preset position on the back of the wafer by using the stealth laser slicing method, and the preset position corresponds to the position of the slicing groove; Several independent chips are obtained by splitting the wafer. In this method, the wafer is divided step by step by step by a combination of slicing groove and invisible laser slicing, which solves the problem that the mechanical slicing of power chips in the prior art causes the chip to collapse at the edges of the positive and negative sides of the chip after slicing.
【技术实现步骤摘要】
一种功率芯片的复合划片方法及半导体器件
本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种功率芯片的复合划片方法及半导体器件。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)属于电压控制型电力电子器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、开关速度快、工作频率高、元件容量大、无吸收电路等优点，已广泛应用于工业变流、电力牵引等领域。直流输电技术不仅能够用于远距离大容量输电和电力系统联网，而且可以实现海底电缆输电、大型城市地下电缆输电，是实现能源优化配置和综合利用的重要技术支撑。高压直流输电(HVDC)技术需要换流阀作为电能变换装置完成AC－DC的整流和DC－AC的逆变，IGBT器件已经成为了高压大功率换流阀中最理想的半导体开关器件之一。目前，在功率芯片的晶圆划片中多采用金刚石砂轮划片的机械切割方式。由于采用机械应力去除划片槽，导致在划片后的芯片正反两面边缘处产生崩边，同常规集成电路晶圆划片相比，功率芯片普遍较厚(500μm)，这增加了砂轮划片的困难，此外对终端的损伤更敏感，对划片的质量要求更高：一方...
【技术保护点】
1.一种功率芯片的复合划片方法，其特征在于，包括如下步骤：在晶圆正面的划片道位置上形成划片槽，所述划片槽具有预设深度；采用隐形激光划片方式在晶圆背面的预设位置上进行激光隐形切割；所述预设位置与所述划片槽位置相对应；采用裂片方式对所述晶圆进行裂片，得到若干个独立的芯片。
【技术特征摘要】
1.一种功率芯片的复合划片方法，其特征在于，包括如下步骤：在晶圆正面的划片道位置上形成划片槽，所述划片槽具有预设深度；采用隐形激光划片方式在晶圆背面的预设位置上进行激光隐形切割；所述预设位置与所述划片槽位置相对应；采用裂片方式对所述晶圆进行裂片，得到若干个独立的芯片。2.根据权利要求1所述的功率芯片的复合划片方法，其特征在于，在晶圆正面的划片道位置上形成划片槽的步骤之前，还包括：在晶圆正面覆盖光刻胶；去除划片道上的所述光刻胶，以露出所述划片道。3.根据权利要求2所述的功率芯片的复合划片方法，其特征在于，采用隐形激光划片方式在晶圆背面的预设位置上进行激光隐形切割的步骤之前，还包括：去除晶圆正面的所述光刻胶。4.根据权利要求1所述的功率芯片的复合划片方法，其特征在于，在晶圆正面的划片道位置上形成划片槽的步骤之前，还包括：在晶圆背面覆盖薄膜层。5.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：武伟，王亮，吴军民，李现兵，韩荣刚，张喆，张朋，林仲康，唐新灵，石浩，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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