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本发明公开了一种功率芯片的复合划片方法及半导体器件，其中，该复合划片方法包括如下步骤：在晶圆正面的划片道位置上形成划片槽，划片槽具有预设深度；采用隐形激光划片方式在晶圆背面的预设位置上进行激光隐形切割，预设位置与划片槽位置相对应；采用裂片方...
该专利属于全球能源互联网研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过全球能源互联网研究院有限公司授权不得商用。

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