空气桥制造方法技术

本申请提出一种空气桥制造方法，包括：提供半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少两个待连接的电极；在所述衬底和电极表面形成第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行部分曝光后对所述第一光刻胶层进行显影，以形成桥体和暴露出电极表面；在所述电极和第一光刻胶层上依次形成金属种层和第二光刻胶层，并对所述第二光刻胶层进行光刻，去除所述桥体和电极上的第二光刻胶层，形成窗口；在所述窗口内的金属种层上形成金属电镀层，并去除剩余的第二光刻胶层；去除非所述窗口内的金属种层，去除所述第一光刻胶层，形成空气桥。本申请所提出的空气桥制造方法，空气桥的形状可以被精确控制，具有高纵横比和稳定机械强度，可以提高单片微波集成电路制造工艺的良率和可重复性。

【技术实现步骤摘要】
空气桥制造方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种空气桥制造方法。
技术介绍
以碳化硅SiC、氮化镓GaN、砷化镓GaAs为代表的宽禁带半导体具有大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率、异质结界面二维电子气浓度高等优良特性，使其倍受人们的关注。在理论上，利用这些材料制作的金属肖特基场效应管MESFET、高电子迁移率晶体管HEMT、异质结双极晶体管HBT等器件在微波大功率方面有着无法比拟的优异性能。自上世纪90年代以来，以宽禁带半导体为基础的单片微波集成电路(MMIC)的研发在全世界蓬勃发展起来。在单片微波集成电路上由于要集成多个主动和被动元器件，为了保证电路的高频性能，常采用空气桥技术把元器件中的电极连接起来。而空气桥的制作属于非标准半导体工艺，对单片微波集成电路制作的成本、良率以及均一性带来了挑战。
技术实现思路
本申请提出一种空气桥制造方法，包括：提供半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少两个待连接的电极；在所述衬底和电极表面形成第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行部分曝光后对所述第一光刻胶层进行显影，以形成桥体和暴露出电极表面；在所述电极和第一光刻胶层上依次本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种空气桥制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少两个待连接的电极；在所述衬底和电极表面形成第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行部分曝光后对所述第一光刻胶层进行显影，以形成桥体和暴露出电极表面；在所述电极和第一光刻胶层上依次形成金属种层和第二光刻胶层，并对所述第二光刻胶层进行光刻，去除所述桥体和电极上的第二光刻胶层，形成窗口；在所述窗口内的金属种层上形成金属电镀层，并去除剩余的第二光刻胶层；去除非所述窗口内的金属种层，去除所述第一光刻胶层，形成空气桥。

【技术特征摘要】
1.一种空气桥制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少两个待连接的电极；在所述衬底和电极表面形成第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行部分曝光后对所述第一光刻胶层进行显影，以形成桥体和暴露出电极表面；在所述电极和第一光刻胶层上依次形成金属种层和第二光刻胶层，并对所述第二光刻胶层进行光刻，去除所述桥体和电极上的第二光刻胶层，形成窗口；在所述窗口内的金属种层上形成金属电镀层，并去除剩余的第二光刻胶层；去除非所述窗口内的金属种层，去除所述第一光刻胶层，形成空气桥。2.根据权利要求1所述的空气桥制造方法，其特征在于，采用灰度掩膜法或者近似曝光法对所述第一光刻胶层进行部分曝光。3.根据权利要求2所述的空气桥制造方法，其特征在于，所述灰度掩膜法对所述第一光刻胶层进行部分曝光的过程包括：设计桥体的形状，并计算所述第一光刻胶层不同位置的曝光剂量；根据计算结果调整掩膜在所述第一光刻胶层相对应的位置处的透射率；使用紫外光照射所述掩膜。4.根据权利要求2所述的空气桥制造方法，其特征在于，所述近似曝光法对所...

【专利技术属性】
技术研发人员：范谦，倪贤锋，何伟，
申请(专利权)人：苏州汉骅半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32