掩模组件和用于制造芯片封装件的方法技术

依次提供第一掩模和第二掩模以实施多步曝光和显影工艺。通过第一掩模和第二掩模的适当的重叠设计，形成具有可接受重叠偏移的导电布线。本发明专利技术的实施例还涉及掩模组件和用于制造芯片封装件的方法。

Mask components and methods for manufacturing chip packages

A first mask and a second mask are provided in turn to implement a multi-step exposure and development process. A conductive wiring with acceptable overlapping offset is formed by proper overlapping design of the first mask and the second mask. The embodiments of the present invention also relate to mask components and methods for manufacturing chip packages.

【技术实现步骤摘要】
掩模组件和用于制造芯片封装件的方法
本专利技术的实施例涉及掩模组件和用于制造芯片封装件的方法。
技术介绍
由于各个电组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体工业已经经历了快速增长。对于大部分而言，这种集成密度的改进来自于最小部件尺寸的连续减小，这使得更多的组件集成到给定的区域。这些更小的电组件也需要比先前的封装件利用更小面积的更小封装件。用于半导体组件的一些更小类型的封装件包括四方扁平封装(QFP)、引脚网格阵列(PGA)封装、球栅阵列(BGA)封装等。集成扇出封装件是用于芯片和系统之间异构集成的强有力的解决方案。集成扇出封装件提供的改进的可布线性和可靠性是用于未来封装件的关键因素。如何简化制造工艺并且减小集成扇出封装件的制造成本是一个重要问题。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种用于制造导电布线的方法，包括：图案化光刻胶层，包括：提供包括第一布局图案的第一掩模；实施经由所述第一掩模的第一曝光工艺和第一显影工艺，以在所述光刻胶层的第一部分中形成多个第一布线开口，并且所述光刻胶层的第一部分由所述第一掩模覆盖；提供包括第二布局图案的第二掩模；实施经由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造导电布线的方法，包括：图案化光刻胶层，包括：提供包括第一布局图案的第一掩模；实施经由所述第一掩模的第一曝光工艺和第一显影工艺，以在所述光刻胶层的第一部分中形成多个第一布线开口，并且所述光刻胶层的第一部分由所述第一掩模覆盖；提供包括第二布局图案的第二掩模；实施经由所述第二掩模的第二曝光工艺和第二显影工艺，以在所述光刻胶层的第二部分中形成多个第二布线开口，所述光刻胶层的第一部分和第二部分的重叠部分由所述第二掩模覆盖，所述第一布线开口和所述第二布线开口在所述重叠部分处连通，并且当实施所述第二曝光工艺时，所述第二掩模的所述第二布局图案与形成在所述光刻胶层中的所述第一布线开口对准；以及在...

【技术特征摘要】
2017.08.31 US 62/552,401;2018.01.30 US 15/884,3281.一种用于制造导电布线的方法，包括：图案化光刻胶层，包括：提供包括第一布局图案的第一掩模；实施经由所述第一掩模的第一曝光工艺和第一显影工艺，以在所述光刻胶层的第一部分中形成多个第一布线开口，并且所述光刻胶层的第一部分由所述第一掩模覆盖；提供包括第二布局图案的第二掩模；实施经由所述第二掩模的第二曝光工艺和第二显影工艺，以在所述光刻胶层的第二部分中形成多个第二布线开口，所述光刻胶层的第一部分和第二部分的重叠部分由所述第二掩模覆盖，所述第一布线开口和所述第二布线开口在所述重叠部分处连通，并且当实施所述第二曝光工艺时，所述第二掩模的所述第二布局图案与形成在所述光刻胶层中的所述第一布线开口对准；以及在所述第一布线开口和所述第二布线开口中形成导电布线。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一掩模的所述第一布局图案包括第一光屏蔽图案，所述第一光屏蔽图案具有对应于所述第一布线开口的多个第一光透射区域，并且所述第二掩模的所述第二布局图案包括第二光屏蔽图案，所述第二光屏蔽图案具有对应于所述第二布线开口的多个第二光透射区域。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一掩模包括对应于所述重叠部分的第一重叠区，并且所述第二掩模包括对应于所述重叠部分的第二重叠区。4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成在所述重叠部分中的所述第一布线开口的第一宽度大于形成在未由所述第二掩模覆盖的所述第一部分中的所述第一布线开口的第二宽度。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电布线包括形成在所述第一布线开口中的多个第一导电段以及形成在所述第二布线开口中的多个第二导电段。6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述第一导电段和所述第二导电段之间发生重叠偏移。7.一种用于制造导电布线的方法，包括：图案化光刻胶层，包括：提供包括第一对准图案和第一布局图案的第一掩模；实施经由所述第一掩模的第一曝光工艺和第一显影工艺，以在所述光刻胶层的第一部分中形成第一对...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈洁，陈宪伟，刘醇鸿，陈英儒，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71