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本申请提出一种空气桥制造方法，包括：提供半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少两个待连接的电极；在所述衬底和电极表面形成第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行部分曝光后对所述第一光刻胶层进行显影，以形成桥体和暴露出电极表面；在所述电极和第一光刻...
该专利属于苏州汉骅半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州汉骅半导体有限公司授权不得商用。

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