半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括基底、隔离结构、外层结构以及栅极结构。隔离结构配置于基底上。外层结构环绕隔离结构的侧壁。栅极结构环绕外层结构的中间部分，使得被栅极结构所覆盖的中间部分成为通道区，而中间部分的两侧处的外层结构则分别成为源极区与漏极区。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制造方法
本专利技术涉及一种集成电路及其制造方法，且特别是有关于一种半导体元件及其制造方法。
技术介绍
随着半导体制作工艺技术的快速发展，为了增进元件的速度与效能，整个电路元件的尺寸必须不断缩小，以提升元件的集成度。目前已经开发出立体或非平面(non-planar)多栅极晶体管元件来取代平面晶体管(planar)元件。举例来说，双栅极(dual-gate)鳍式场效晶体管(FinFET)元件、三栅极(tri-gate)FinFET元件以及Ω(omega)式FinFET元件等非平面多栅极晶体管元件都已被提出。现在，则更发展出利用纳米线作为通道的环绕式栅极(gate-all-around，GAA)晶体管元件，作为继续提升元件集成度与元件效能的方案。然而，传统纳米线晶体管元件有漏电流过大的问题，其导致可靠度降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体元件及其制造方法，其将通道材料环绕隔离结构的侧壁，以减少漏电流，并可增加有源区域(activeregion)面积，进而提升导通电流(Ioncurrent)。本专利技术提供一种半导体元件包括基底、隔离结构、外层结构以及栅极结构。隔离结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：隔离结构，配置于基底上；外层结构，环绕所述隔离结构的侧壁；以及栅极结构，环绕所述外层结构的中间部分，使得被所述栅极结构所覆盖的所述中间部分成为通道区，而所述中间部分的两侧处的所述外层结构则分别成为源极区与漏极区。

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：隔离结构，配置于基底上；外层结构，环绕所述隔离结构的侧壁；以及栅极结构，环绕所述外层结构的中间部分，使得被所述栅极结构所覆盖的所述中间部分成为通道区，而所述中间部分的两侧处的所述外层结构则分别成为源极区与漏极区。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述隔离结构垂直于所述基底的顶面，以形成垂直纳米线结构。3.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述隔离结构的材料包括空气、介电材料或其组合。4.如权利要求3所述的半导体元件，其中所述介电材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或是介电常数低于4的低介电常数材料。5.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述外层结构的材料包括硅、锗、2D材料或其组合。6.如权利要求5所述的半导体元件，其中所述2D材料包括石墨烯、金属硫属化合物或其组合。7.如权利要求6所述的半导体元件，其中所述金属硫属化合物包括Mo、W、Nb、V、Ta、Ti、Zr、Hf、Tc、Re、Cu、Ga、In、Sn、Ge以及Pb中的一者的金属原子；以及包括S、Se和Te中的一者的硫属元素原子。8.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述通道区、所述源极区以及所述漏极区为同一导电型。9.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述源极区以及所述漏极区为同一导电型，所述源极区以及所述漏极区与所述通道区为不同导电型。10.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述隔离结构包括：主体部，毯覆在所述基底上；以及突出部，垂直突出于所述主体部的顶面，所述外层结构环绕所述突出部的侧壁。11.如权利要求10所述的半导体元件，其中所述突出部的数量为多个，多个突出部中的一者的直径与所述多个突出部中的另一者的直径相同。12.如权利要求10所述的半导体元件，其中所述突出部的数量为多个，多个突出部中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈冠宏，李荣原，陆俊岑，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71