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本发明公开一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括基底、隔离结构、外层结构以及栅极结构。隔离结构配置于基底上。外层结构环绕隔离结构的侧壁。栅极结构环绕外层结构的中间部分，使得被栅极结构所覆盖的中间部分成为通道区，而中间部分的两侧处的外...
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