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提供晶片的加工方法。该方法包含：第1切削槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线通过第1切削刀具形成深度相当于器件芯片的完工厚度的第1切削槽；密封工序，利用密封材料将晶片的正面密封；磨削工序，从晶片的背面侧将晶片磨削至器件芯片的完工厚度而使...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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