一种半导体测试打点方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体测试打点方法。探针用于测试晶粒的电参数，打点针用于将不合格的晶粒做标记；晶片上的多个晶粒排布在X向和Y向构成的平面内，所有晶粒都能够用（X1/X2/…Xm，Y1/Y2/…Yn）唯一确定位置；探针与打点针相对固定，打点针从O点处的晶粒开始并沿着路径a运动完成对晶粒的测试；当探针位于（Xj Yk）处时，打点针位于（Xj Yk‑1）处；且根据探针已经测试位于（Xj Yk‑1）处为不良晶粒，所述打点针对（Xj Yk‑1）处的晶粒做标记；j≦m，k≦n；使探针和打点针位于不同的晶粒，满足小型化晶粒的测试和标记要求，测试效率高，应用范围广。

A Method of Dotting Semiconductor Testing

The invention discloses a semiconductor test dotting method. The probe is used to measure the electrical parameters of the grains, and the dotting needle is used to mark the unqualified grains. The grains on the wafer are arranged in the plane composed of X and Y directions, and all grains can be used (X1/X2/). Xm, Y1/Y2/... Yn) is the only determinate location; the probe and the pin are relatively fixed, and the pin starts from the grain at O point and moves along path a to complete the grain testing; when the probe is located at (Xj Yk), the pin is located at (Xj Yk 1); and according to the test results of the probe, the pin is a bad grain at (Xj Yk 1), and the pin marks the grain at (Xj Yk 1); The probe and pin are located in different grains to meet the requirement of testing and marking of small grains. The testing efficiency is high and the application scope is wide.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体测试打点方法
本专利技术涉及一种半导体测试打点方法。
技术介绍
现有的半导体为了分选，需要在测试后将电参数达不到使用要求（不良）的晶粒作标记。有的厂商使用类似LED的测试方法，即将所有晶粒测试后，再根据测试获得的参数做标记，此种打点方法耗费的时间长；也有将探针和打点针设置于同一位置，探针测试晶粒后获得的测试效果直接作用于打点针，从而完成对晶粒的测试和标记同步，然而随着晶粒的小型化，此种探针和打点针同步的测试方法不利于布局，而且打点针与探针距离太近，容易造成探针污染影响探针的测试。
技术实现思路
为了满足小型化晶粒的测试和标记要求，提升测试效率；本专利技术提出一种半导体测试打点方法。本专利技术的技术方案为：一种半导体测试打点方法，探针用于测试晶粒的电参数，打点针用于将不合格的晶粒做标记；晶片上的多个晶粒排布在X向和Y向构成的平面内，所有晶粒都能够用（X1/X2/…XmY1/Y2/…Yn）唯一确定位置；探针与打点针相对固定，打点针从O点处的晶粒开始并沿着路径a运动完成对晶粒的测试；当探针位于（XjYk）处时，打点针位于（XjYk-1）处；且根据探针已经测试位于（XjYk-1）处为不良晶粒，所述打点针对（XjYk-1）处的晶粒做标记；j≦m，k≦n。进一步的，路径a能够保证探针和打点针均能够达到所有的晶粒。进一步的，所述探针数量与打点针数量相同；当具有1个探针与一个打点针时，所述探针每次进给到相邻的晶粒；当具有2个探针与两个打点针时，探针每次进给到隔一个晶粒。进一步的，所述打点针为点墨装置或烧蚀装置。进一步的，所述探针测试晶粒b的合格/不合格信号存储装置，用于控制打点针位于晶粒b时不标记/标记。进一步的，探针位于非晶粒位置时，不产生合格/不合格信号。进一步的，打点针位于没有合格/不合格信号的位置时，打点针不标记。进一步的，（XjYk）处有晶粒，（XjYk-1）处有晶粒；（XjYk）处无晶粒，（XjYk-1）处有晶粒；（XjYk）处有晶粒，（XjYk-1）处无晶粒；打点针位于任何位置满足上述三种情况中的一种。本专利技术的有益效果在于：使探针和打点针位于不同的晶粒，满足小型化晶粒的测试和标记要求，测试效率高，应用范围广。附图说明图1为本专利技术探针和打点针用于半导体测试打点方法的示意图。具体实施方式为便于本领域技术人员理解本专利技术的技术方案，下面将本专利技术的技术方案结合具体实施例作进一步详细的说明。如图1所示，一种半导体测试打点方法，探针21用于测试晶粒的电参数，打点针22用于将不合格的晶粒做标记；满足晶粒的测试和标记需求；晶片10上的多个晶粒排布在X向和Y向构成的平面内，所有晶粒都能够用（X1/X2/…XmY1/Y2/…Yn）唯一确定位置；由于晶粒生产就需要满足在平面内阵列的要求，将晶片10网格化可以用平面内坐标系标注所有的晶粒，从而便于测试和标记选用参考系，便于实现自动化测试，防止打点针22对探针21的影响，保证探针21的工作性能稳定；探针21与打点针22相对固定，对探针21与打点针22的三维调节，采用共用的XY调节部，只需要分别设置一个垂直于晶片10的调节部就能使探针21和打点针22的位置调节需求；打点针22从O点处的晶粒开始并沿着路径a运动完成对晶粒的测试，方案实施者不能够仅仅根据路线a包含了所有的晶粒为标准，由于晶粒布局结构的差异，以及探针21和打点针22相对位置关系，可能存在探针21路线包含了所有晶粒，但是打点针22并不能包含所有晶粒的情况，此时需要将路线a包括一些无晶粒位置，以保证打点针22能够到达所有晶粒位置；当探针21位于（XjYk）处时，打点针22位于（XjYk-1）处；且根据探针21已经测试位于（XjYk-1）处为不良晶粒，所述打点针22对（XjYk-1）处的晶粒做标记；j≦m，k≦n，即探针21和打点针22相隔一行设置；相对于探针21和打点针22隔多行设置的结构，相隔一行能够减小路径a上非晶粒数量，从而节省时间，提升半导体打点测试的测试效率；而且能够满足小型化晶粒的使用要求；路径a能够保证探针21和打点针22均能够达到所有的晶粒，即路径a的设置不能仅仅根据包含晶粒就行；比如某颗晶粒的下一行没有晶粒，如果探针21不能到达对应的无晶粒位置，打点器22就不能到达晶粒位置，方案实施者需要根据所有晶粒的位置关系适当选取一些无晶粒位置包含于路径a；所述探针21数量与打点针22数量相同，方便安装和调节，用一套控制进给的系统就能满足使用需求，如果采用1个探针21，两个打点器22，如果采用一套进给系统，只能按照探针21向挨着的晶粒进给，此时会造成打点针22重复位于晶粒，重复标记；当具有1个探针21与一个打点针22时，所述探针21每次进给到相邻的晶粒，满足探针21能够测试所有晶粒，打点针22能够到达所有晶粒；当具有2个探针21与两个打点针22时，探针21每次进给到隔一个晶粒，此时两个探针21分别测试相邻位置的晶粒，且不会重复测试；两个打点针22位于相邻晶粒，不会重复到达晶粒所在的位置；所述打点针22为点墨装置或激光烧蚀装置，打点针22用于对电参数不合格的晶粒增加用于识别的标志，一般选用点墨设备，即将不合格晶粒点上墨迹用于识别；采用激光烧蚀装置具有聚光度强，能够满足较小晶粒的标志要求。如图1所示，所述探针21测试晶粒b的合格/不合格信号保存于存储装置，用于控制打点针22位于晶粒b时不标记/标记；由于探针21测试的合格/不合格信号并不是实时用于打点针22，故需要存储装置保存探针21的测试结果，当打点针22位于晶粒位置时，存储装置向打点针22发出标记/不标记信号。如图1所示，探针21位于非晶粒位置时，不产生合格/不合格信号；当晶粒p沿Y的下一行没有晶粒时，此时为了打点针22能够到达晶粒p，探针21需要到达位置q，此时位置q并没有晶粒，探针21不产生合格/不合格信号；打点针22位于没有合格/不合格信号的位置时，打点针22不标记；如探针21位于晶粒p，此时打点针22位于位置r，此时打点针22不标记。如图1所示，（XjYk）处有晶粒，（XjYk-1）处有晶粒；（XjYk）处无晶粒，（XjYk-1）处有晶粒；（XjYk）处有晶粒，（XjYk-1）处无晶粒；打点针22位于任何位置均满足上述三种情况中的一种，在满足所有晶粒均能够测和标志的前提下，剔除探针21和打点针22均位于无晶粒的位置，减少路径a包含的位置，从而提升效率。以上是本专利技术的较佳实施例，不用于限定本专利技术的保护范围。应当认可，本领域技术人员在理解了本专利技术技术方案后所作的非创造性变形和改变，应当也属于本专利技术的保护和公开的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体测试打点方法，其特征在于：探针（21）用于测试晶粒的电参数，打点针（22）用于将不合格的晶粒做标记；晶片（10）上的多个晶粒排布在X向和Y向构成的平面内，所有晶粒都能够用（X1/X2/…Xm Y1/Y2/…Yn）唯一确定位置；探针（21）与打点针（22）相对固定，打点针（22）从O点处的晶粒开始并沿着路径a运动完成对晶粒的测试；当探针（21）位于（Xj Yk）处时，打点针（22）位于（Xj Yk‑1）处；且根据探针（21）已经测试位于（Xj Yk‑1）处为不良晶粒，所述打点针（22）对（Xj Yk‑1）处的晶粒做标记；j≦m，k≦n。

【技术特征摘要】
1.一种半导体测试打点方法，其特征在于：探针（21）用于测试晶粒的电参数，打点针（22）用于将不合格的晶粒做标记；晶片（10）上的多个晶粒排布在X向和Y向构成的平面内，所有晶粒都能够用（X1/X2/…XmY1/Y2/…Yn）唯一确定位置；探针（21）与打点针（22）相对固定，打点针（22）从O点处的晶粒开始并沿着路径a运动完成对晶粒的测试；当探针（21）位于（XjYk）处时，打点针（22）位于（XjYk-1）处；且根据探针（21）已经测试位于（XjYk-1）处为不良晶粒，所述打点针（22）对（XjYk-1）处的晶粒做标记；j≦m，k≦n。2.根据权利要求1所述的半导体测试打点方法，其特征在于：路径a能够保证探针（21）和打点针（22）均能够达到所有的晶粒。3.根据权利要求1所述的半导体测试打点方法，其特征在于：所述探针（21）数量与打点针（22）数量相同；当具有1个探针（21）与一个打点针（22）时，所述探针（21）每次进给...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振辉，
申请(专利权)人：深圳市矽电半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44