一种吸气清洁装置及激光二极管芯片测试设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术提出一种吸气清洁装置及激光二极管芯片测试设备。一种吸气清洁装置包括，第一本体；承载部，用于放置晶粒；所述承载部连接于第一本体；吸附部，包括吸嘴部和旋转臂，所述旋转臂枢接于第一本体，所述吸嘴部连接于旋转臂，所述旋转臂能够相对于第一本体旋转，使吸嘴部能够接触/远离承载部；采用吸气清洁的方式清除晶粒周围的杂质，减小杂质对晶粒测试的不良影响；保证晶粒测试数据的稳定可靠。

A suction cleaning device and laser diode chip test equipment

【技术实现步骤摘要】
一种吸气清洁装置及激光二极管芯片测试设备
本技术涉及一种吸气清洁装置及激光二极管芯片测试设备。
技术介绍
激光二极管芯片的测试需要取单颗芯粒测试，而且由于激光二极管测试要求稳定可靠，采用吹气的方式清除激光二极管芯粒易造成杂质分布在晶粒周围从而影响测试。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提出一种吸气清洁装置。本技术的技术方案为：一种吸气清洁装置包括，第一本体；承载部，用于放置晶粒；所述承载部连接于第一本体；吸附部，包括吸嘴部和旋转臂，所述旋转臂枢接于第一本体，所述吸嘴部连接于旋转臂，所述旋转臂能够相对于第一本体旋转，使吸嘴部能够接触/远离承载部。采用吸气清洁的方式清除晶粒周围的杂质，减小杂质对晶粒测试的不良影响；保证晶粒测试数据的稳定可靠。进一步的，所述承载部包括第二本体和置料部，所述置料部设置有吸附孔，所述吸附孔用于吸附晶粒；所述吸嘴部接触于所述承载部时，所述吸嘴部遮盖所述吸附孔，且所述吸嘴部吸附的面积S1大于晶粒吸附面的面积S2。保证散落于芯粒周围的杂质能够被吸嘴部充分清理干净。进一步的，所述承载部还包括真空控制气嘴，所述真空控制气嘴连接于第二本体并连通于吸附孔，通过所述真空控制气嘴实现对放置于吸附孔处的晶粒吸附控制。将测试的晶粒真空吸附于吸附孔固定，使晶粒的测试稳定可靠。进一步的，所述置料部为导电电极，所述置料部包裹有镀金层。满足电极相对分布的晶粒测试要求，即晶粒的一个导电极通过置料部电连接，晶粒远离置料部的电极通过探针电连接，从而满足测试要求；对于单颗晶粒的测试又不方便双面扎针测试，采用这种一端导电并真空吸附固定，另一端探针导电连接的方式满足对单颗晶粒的双面电连接测试。进一步的，所述第二本体连接有加热装置，所述加热装置用于对所述第二本体加热；所述第二本体能够将热量传导给置料部；实现对置料部温度控制，满足晶粒的不同温度测试要求。进一步的，所述置料部设置成一组相对两侧斜劈的楔形结构；既满足减小镀金面降低成本的要求，又能够保证充足的热量传导至晶粒测试位置。进一步的，所述承载部还包括温度检测装置，所述温度检测装置连接于第二本体；用于检测第二本体的温度，从而监控晶粒测试环境的温度。进一步的，所述吸附部包括驱动气缸，所述驱动气缸固定于第一本体，所述驱动气缸输出轴连接于旋转臂，所述驱动气缸能够驱动所述旋转臂相对于第一本体旋转。一种激光二极管芯片测试设备，所述激光二极管芯片测试装置包括上述任意一项所述的吸气清洁装置。本技术的有益效果在于：相对于吹气清除杂质的方法能够减小杂质对晶粒测试造成的影响，能够满足单颗晶粒的精密测试；所述吸附部不会影响晶粒的测试，使用方便。附图说明图1为本技术吸气清洁装置结构示意图；图2为承载部第一视角示意图；图3为图2中局部放大图；图4为承载部第二视角示意图；图5为吸嘴部结构示意图。具体实施方式为便于本领域技术人员理解本技术的技术方案，下面将本技术的技术方案结合具体实施例作进一步详细的说明。如图1所示，一种吸气清洁装置100，包括，第一本体20；承载部30，用于放置晶粒；所述承载部30连接于第一本体20；将晶粒放置于承载部30，向晶粒扎针实现对晶粒的测试；吸附部40，包括吸嘴部41和旋转臂42，所述旋转臂42枢接于第一本体20，所述吸嘴部41连接于旋转臂42，所述旋转臂42能够相对于第一本体20旋转，使吸嘴部41能够接触/远离承载部30；当需要清洁承载部30使，转动旋转臂42使吸嘴部41贴合承载部30，通过吸嘴部41将承载部30上的杂质吸走；清理杂质后，旋转旋转臂42使吸嘴部41远离承载部30，从而承载部30上清洁了杂质的位置又能够放置晶粒用于测试；相对于吹气清除杂质的方法能够减小杂质对晶粒测试造成的影响，能够满足单颗晶粒的精密测试；所述吸附部40不会影响晶粒的测试，使用方便。如图1、图2、图3和图5所示，所述承载部30包括第二本体31和置料部32，所述置料部32设置有吸附孔321，所述吸附孔321用于吸附晶粒，即晶粒通过真空吸附的方式固定于吸附孔321；所述吸嘴部41接触于所述承载部30时，所述吸嘴部41遮盖所述吸附孔321，且所述吸嘴部41吸附的面积S1大于晶粒吸附面的面积S2，测试晶粒时产生的杂质掉落于晶粒周围，所述吸嘴部41吸附的面积S1即为内径面积，晶粒吸附面的面积S2为晶粒吸附在吸附孔321时靠近吸附孔321一侧的晶粒面积；从而保证杂质散落于晶粒周围，所述吸嘴部41能够将杂质吸附干净。如图1、图2、图3和图5所示，所述承载部30还包括真空控制气嘴33，所述真空控制气嘴33连接于第二本体31并连通于吸附孔321，通过所述真空控制气嘴33实现对放置于吸附孔321处的晶粒吸附控制，从而保证待测试的放置于吸附孔321上的晶粒位置稳定可靠，满足测试要求；所述真空控制气嘴33连接有真空阀等部件，实现对吸附孔321真空状态的控制。如图1、图2、图3和图5所示，所述置料部32为导电电极，所述置料部32包裹有镀金层；由于激光二极管晶粒的两个电极分布于相背离的两侧，而且为了保证单颗激光二极管晶粒测试数据的可靠性，需要对激光二极管晶粒单颗测试；为了便于对激光二极管测试，将激光二极管一个电极放置于置料部32上，在激光二极管远离置料部32一侧连接测试探针，将置料部32和探针同时导电从而实现对激光二极管晶粒测试，为增强置料部32的导电性需要在其表面镀金。如图1、图2、图3和图5所示，所述第二本体31连接有加热装置，所述加热装置用于对所述第二本体31加热；所述第二本体31能够将热量传导给置料部32；由于激光二极管晶粒需要在80°左右（根据对应激光二极管使用场合不同测试温度有所不同）的温度环境下测试，通过设置加热装置使所述置料部32能够满足不同温度的测试要求。如图1、图2、图3、图4和图5所示，所述置料部32设置成一组相对两侧斜劈的楔形结构；在置料部32与第二本体31连接面积一定（保证足量的热量传输传输到置料部32）的前提下，相对于规则的立体结构，所述一组相对两侧斜劈的楔形结构能够减小镀金面积，从而降低成本；相对于多组相对两侧斜劈（如金字塔），所述一组相对两侧斜劈的楔形结构能够保证吸附孔321能够达到并保证具有稳定的温度，能够满足激光二极管晶粒测试温度稳定可靠。如图1、图2、图3、图4和图5所示，所述承载部30还包括温度检测装置34，所述温度检测装置34连接于第二本体31。如图1、图2、图3、图4和图5，所述吸附部40包括驱动气缸43，所述驱动气缸43固定于第一本体20，所述驱动气缸43输出轴连接于旋转臂42，所述驱动气缸43能够驱动所述旋转臂42相对于第一本体20旋转；通过所述驱动气缸43实现对旋转臂42控制实现对吸嘴部41接触/远离承载部30的控制。如图1、图2、图3、图4和图5，一种激光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种吸气清洁装置，其特征在于：所述吸气清洁装置（100）包括，/n第一本体（20）；/n承载部（30），用于放置晶粒；所述承载部（30）连接于第一本体（20）；/n吸附部（40），包括吸嘴部（41）和旋转臂（42），所述旋转臂（42）枢接于第一本体（20），所述吸嘴部（41）连接于旋转臂（42），所述旋转臂（42）能够相对于第一本体（20）旋转，使吸嘴部（41）能够接触/远离承载部（30）。/n

【技术特征摘要】
1.一种吸气清洁装置，其特征在于：所述吸气清洁装置（100）包括，
第一本体（20）；
承载部（30），用于放置晶粒；所述承载部（30）连接于第一本体（20）；
吸附部（40），包括吸嘴部（41）和旋转臂（42），所述旋转臂（42）枢接于第一本体（20），所述吸嘴部（41）连接于旋转臂（42），所述旋转臂（42）能够相对于第一本体（20）旋转，使吸嘴部（41）能够接触/远离承载部（30）。


2.根据权利要求1所述的吸气清洁装置，其特征在于：所述承载部（30）包括第二本体（31）和置料部（32），所述置料部（32）设置有吸附孔（321），所述吸附孔（321）用于吸附晶粒；所述吸嘴部（41）接触于所述承载部（30）时，所述吸嘴部（41）遮盖所述吸附孔（321），且所述吸嘴部（41）吸附的面积S1大于晶粒吸附面的面积S2。


3.根据权利要求2所述的吸气清洁装置，其特征在于：所述承载部（30）还包括真空控制气嘴（33），所述真空控制气嘴（33）连接于第二本体（31）并连通于吸附孔（321），通过所述真空控制气嘴（33）实现对放置于吸附孔（321）处的晶粒吸附控制。

【专利技术属性】
技术研发人员：王胜利，杨波，
申请(专利权)人：深圳市矽电半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44