制造半导体装置的方法制造方法及图纸

一种制造半导体装置的方法，包含：形成第一导电结构于第一介电层中；形成导电保护结构，耦接至第一导电结构的至少一部分；形成第二介电层于第一介电层上；形成贯孔，延伸通过第二介电层的至少一部分，以露出导电保护结构的一部分；清洁贯孔；以及以导电材料填充贯孔以形成贯孔结构。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法
本揭露实施例是关于一种具有贯孔结构的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
由于先进技术进一步缩小半导体装置的物理尺寸，耦接至半导体装置的互连层(例如，金属化层)中的各别互连线(例如，金属化结构)的尺寸亦趋向缩小。再者，为了在有限区域的晶圆上连接更多半导体装置，横跨各个互连层的互连线通过垂直导电贯孔结构以三维方式电性连接。一般而言，贯孔结构通常通过在较下方的金属化结构(即导电结构)上沉积介电层而形成，凹陷并通过介电层以形成垂直沟槽或孔，亦称为贯孔，以便露出一部分较下方的金属化结构的顶部表面，然后用导电材料(例如，金属材料)重新填充贯孔。接着，贯孔结构可用以将较下方的金属化结构电性耦接至一个或多个较上方的金属化结构。如此，贯孔中的导电金属材料的电性连接路径可自较下方的金属化结构形成至较上方的金属化结构。在用金属材料重新填充贯孔以形成贯孔结构之前，通常进行清洁处理以去除分布在贯孔上的残留物(例如，聚合物及/或光阻材料)，这些残留物可能是在形成贯孔之前，在形成贯孔时，或是在形成贯孔之后所引起。然而，这类通常基于酸溶液的清洁处理可能在较下方的导电结构中引起一个或多个底切。这本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：形成一第一导电结构于一第一介电层中；形成一导电保护结构，耦接至该第一导电结构的至少一部分；形成一第二介电层于该第一介电层上；形成一贯孔，延伸通过该第二介电层的至少一部分，以露出该导电保护结构的一部分；清洁该贯孔；以及以一导电材料填充该贯孔以形成一贯孔结构。

【技术特征摘要】
2017.07.18 US 15/652,6991.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：形成一第一导电结构于一第一介电层中；形成一导电保护结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤宏誌，陈建茂，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71