形成图像传感器的方法及图像传感器技术

本公开涉及一种形成图像传感器的方法，包括：在半导体衬底中的浅沟槽中形成覆盖所述浅沟槽的壁的第一电介质材料层；在所述浅沟槽中形成覆盖所述第一电介质材料层的掺杂层，所述掺杂层具有P型掺杂剂，并且所述掺杂层中的P型掺杂剂的浓度高于所述浅沟槽周围的所述半导体衬底的部分中的P型掺杂剂的浓度，其中，所述掺杂层不填满所述浅沟槽；以及使得所述掺杂层中的所述P型掺杂剂透过所述第一电介质材料层向所述半导体衬底中扩散，从而在所述半导体衬底中的所述浅沟槽的周围形成覆盖所述浅沟槽的壁的P型扩散区。本公开还涉及一种图像传感器。本公开能够改进图像传感器的暗电流。

【技术实现步骤摘要】
形成图像传感器的方法及图像传感器
本公开涉及半导体
，具体来说，涉及一种形成图像传感器的方法及图像传感器。
技术介绍
CMOS图像传感器的光电二极管、晶体管等器件的周围通常会形成浅沟槽隔离(STI)结构。因此，存在对新技术的需求。
技术实现思路
本公开的目的之一是提供一种新的图像传感器及形成图像传感器的方法。根据本公开的第一方面，提供了一种形成图像传感器的方法，包括：在半导体衬底中的浅沟槽中形成覆盖所述浅沟槽的壁的第一电介质材料层；在所述浅沟槽中形成覆盖所述第一电介质材料层的掺杂层，所述掺杂层具有P型掺杂剂，并且所述掺杂层中的P型掺杂剂的浓度高于所述浅沟槽周围的所述半导体衬底的部分中的P型掺杂剂的浓度，其中，所述掺杂层不填满所述浅沟槽；以及使得所述掺杂层中的所述P型掺杂剂透过所述第一电介质材料层向所述半导体衬底中扩散，从而在所述半导体衬底中的所述浅沟槽的周围形成覆盖所述浅沟槽的壁的P型扩散区。根据本公开的第二方面，提供了一种图像传感器，包括：浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构形成在半导体衬底中；以及扩散区，所述扩散区位于所述半导体衬底中的所述浅沟槽隔离结构的周围并覆盖所述浅沟槽隔离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成图像传感器的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底中的浅沟槽中形成覆盖所述浅沟槽的壁的第一电介质材料层；在所述浅沟槽中形成覆盖所述第一电介质材料层的掺杂层，所述掺杂层具有P型掺杂剂，并且所述掺杂层中的P型掺杂剂的浓度高于所述浅沟槽周围的所述半导体衬底的部分中的P型掺杂剂的浓度，其中，所述掺杂层不填满所述浅沟槽；以及使得所述掺杂层中的所述P型掺杂剂透过所述第一电介质材料层向所述半导体衬底中扩散，从而在所述半导体衬底中的所述浅沟槽的周围形成覆盖所述浅沟槽的壁的P型扩散区。

【技术特征摘要】
1.一种形成图像传感器的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底中的浅沟槽中形成覆盖所述浅沟槽的壁的第一电介质材料层；在所述浅沟槽中形成覆盖所述第一电介质材料层的掺杂层，所述掺杂层具有P型掺杂剂，并且所述掺杂层中的P型掺杂剂的浓度高于所述浅沟槽周围的所述半导体衬底的部分中的P型掺杂剂的浓度，其中，所述掺杂层不填满所述浅沟槽；以及使得所述掺杂层中的所述P型掺杂剂透过所述第一电介质材料层向所述半导体衬底中扩散，从而在所述半导体衬底中的所述浅沟槽的周围形成覆盖所述浅沟槽的壁的P型扩散区。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂层由具有P型掺杂剂的多晶半导体材料形成。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型掺杂剂为硼。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏代龙，许兵，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32