一种连接孔粘附层优化方法技术

本发明专利技术提供一种连接孔粘附层优化方法，其中，提供一待形成接触孔的衬底，还包括以下步骤，步骤1，于衬底上形成接触孔；步骤2，在接触孔孔壁，孔底及衬底表面表面沉积一第一金属层；步骤3，对第一金属层表面进行氮化处理；步骤4，于氮化处理后的第一金属层表面形成一金属型氮化物层，金属型氮化物层的过渡元素与第一金属层的元素相同；步骤5：对接触孔填充一第二金属，使第二金属充满接触孔并覆盖金属型氮化物层表面；步骤6：除去多余的第二金属。本发明专利技术的有益效果在于通过对金属钛薄层进行表面氮化处理，从而改善后续氮化钛薄层的延迟效应，使连接孔粘附层的工艺更加稳定。

An Optimum Method for Adhesion Layer of Connecting Holes

The present invention provides an optimization method for bonding layer of connecting holes, in which a substrate to be formed a contact hole is provided, and the following steps are also included: step 1, forming a contact hole on the substrate; step 2, depositing a first metal layer on the surface of the contact hole wall, the bottom of the hole and the substrate; step 3, nitriding the surface of the first metal layer; step 4, nitriding the first metal after nitriding treatment; A metal nitride layer is formed on the surface of the layer, and the transition elements of the metal nitride layer are the same as those of the first metal layer. Step 5: Fill the contact hole with a second metal so that the second metal fills the contact hole and covers the surface of the metal nitride layer. Step 6: Remove the surplus second metal. The beneficial effect of the present invention is to improve the delayed effect of the subsequent titanium nitride thin layer by nitriding the surface of the titanium metal thin layer, so as to make the process of the bonding layer of the connecting hole more stable.

【技术实现步骤摘要】
一种连接孔粘附层优化方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种连接孔粘附层优化方法。
技术介绍
目前的连接孔粘附层工艺通常采用物理气相沉积(PVD：physicalvapordeposition)方法沉积金属钛薄层和采用化学气相沉积(CVD：Chemicalvapordeposition)方法沉积氮化钛薄层的方式，但是用化学气相沉积方法沉积的氮化钛薄层的电阻较高，需要氢等离子体处理来降低该氮化钛薄层的电阻，直到该电阻接近采用物理气相沉积方法沉积的金属钛薄层的电阻。这样会使工艺成本偏高，操作难度偏大。因为物理气相沉积方法沉积的金属钛薄层和化学气相沉积方法沉积的氮化钛薄层被整合到同一个主机台的两个独立的反应室中，并且这两道制程之间是处于不破真空状态，所以在14nm的技术节点以下时，原子层沉积(ALD：atomiclayerdeposition)方法沉积的氮化钛薄层会取代化学气相沉积方法沉积的氮化钛薄层成为吸附层，但原子层沉积方法的沉积过程对电极比较敏感，从而产生延迟效应。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种旨在对金属钛薄层进行表面氮化处理，从而改善后续氮化钛薄层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种连接孔粘附层优化方法，其特征在于，提供一待形成接触孔的衬底，还包括以下步骤，步骤1，于所述衬底上形成接触孔；步骤2，在所述接触孔孔壁，孔底及所述衬底表面表面沉积一第一金属层；步骤3，对所述第一金属层表面进行氮化处理；步骤4，于氮化处理后的所述第一金属层表面形成一金属型氮化物层，所述金属型氮化物层的过渡元素与所述第一金属层的元素相同；步骤5：对所述接触孔填充一第二金属，使所述第二金属充满所述接触孔并覆盖所述金属型氮化物层表面；步骤6：除去多余的所述第二金属。

【技术特征摘要】
1.一种连接孔粘附层优化方法，其特征在于，提供一待形成接触孔的衬底，还包括以下步骤，步骤1，于所述衬底上形成接触孔；步骤2，在所述接触孔孔壁，孔底及所述衬底表面表面沉积一第一金属层；步骤3，对所述第一金属层表面进行氮化处理；步骤4，于氮化处理后的所述第一金属层表面形成一金属型氮化物层，所述金属型氮化物层的过渡元素与所述第一金属层的元素相同；步骤5：对所述接触孔填充一第二金属，使所述第二金属充满所述接触孔并覆盖所述金属型氮化物层表面；步骤6：除去多余的所述第二金属。2.如权利要求1所述的连接孔粘附层优化方法，其特征在于，所述步骤1与所述步骤2之间还包括，对所述接触孔孔壁、孔底及所述衬底表面进行预清洗。3.如权利要求2所述的连接孔粘附层优化方法，其特征在于，所述预清洗使用氩等离子体。4.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍宇，张艳燕，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31