半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底，基底表面具有堆叠层；去除部分堆叠层，形成贯穿堆叠层的沟道孔和位于沟道孔底部基底内的凹槽，所述凹槽底部具有第一碎晶层和位于第一碎晶层表面的第一氧化层，第一碎晶层与基底的晶格结构不同；利用第一等离子体处理工艺去除所述第一氧化层和第一碎晶层；第一等离子体处理工艺之后，在凹槽内外延生长形成外延层，所述外延层充满凹槽；在外延层表面形成存储结构，所述存储结构充满沟道孔。所述方法能够提高半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
快闪存储器(FlashMemory)又称闪存，闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因此成为非挥发性存储器的主流存储器。根据结构的不同，闪存分为非门闪存(NORFlashMemory)和与非门闪存(NANDFlashMemory)。相比于非门闪存，与非门闪存能提供更高的单元密度，更高的存储密度，更快的写入和擦除速度。随着平面型闪存的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是，目前平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限，如曝光技术极限、显影技术极限及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面型闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，3D(三维)闪存应运而生，例如：半导体结构。然而，现有技术形成的半导体结构的性能有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高半导体结构的性能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面具有堆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面具有堆叠层；去除部分堆叠层，形成贯穿堆叠层的沟道孔和位于沟道孔底部基底内的凹槽，所述凹槽底部具有第一碎晶层和位于第一碎晶层表面的第一氧化层，所述第一碎晶层与基底的晶格结构不同；利用第一等离子体处理工艺去除所述第一氧化层和第一碎晶层；所述第一等离子体处理工艺之后，在所述凹槽内外延生长形成外延层，外延层充满凹槽；在所述外延层表面形成存储结构，所述存储结构充满沟道孔。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面具有堆叠层；去除部分堆叠层，形成贯穿堆叠层的沟道孔和位于沟道孔底部基底内的凹槽，所述凹槽底部具有第一碎晶层和位于第一碎晶层表面的第一氧化层，所述第一碎晶层与基底的晶格结构不同；利用第一等离子体处理工艺去除所述第一氧化层和第一碎晶层；所述第一等离子体处理工艺之后，在所述凹槽内外延生长形成外延层，外延层充满凹槽；在所述外延层表面形成存储结构，所述存储结构充满沟道孔。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底的材料包括单晶硅。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述基底的材料为单晶硅时，所述沟道孔和凹槽的形成工艺包括反应离子刻蚀工艺；所述反应离子刻蚀工艺的工艺参数包括：轰击能量为10000瓦～15000瓦。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一碎晶层和第一氧化层的厚度之和为：9纳米～10纳米。5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一碎晶层的材料包括硅；所述第一氧化层的材料包括氧化硅。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一等离子体为第一气体的等离子体，所述第一气体包括氯气。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述第一气体为氯气时，所述第一等离子体处理工艺的参数包括：第一气体的流量为150标准状态毫升/分～250标准状态毫升/分。8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一等离子体处理工艺包括物理轰击和化学腐蚀；通过所述物理轰击去除第一氧化层；通过所述化学腐蚀去除第一碎晶层。9.如权利要求3所述的半导体结...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗流洋，陆智勇，刘隆冬，耿静静，赵治国，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42