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半导体结构及其形成方法技术
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文档序号:20048047
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一种半导体结构及其形成方法,其中,形成方法包括:提供基底,基底表面具有堆叠层;去除部分堆叠层,形成贯穿堆叠层的沟道孔和位于沟道孔底部基底内的凹槽,所述凹槽底部具有第一碎晶层和位于第一碎晶层表面的第一氧化层,第一碎晶层与基底的晶格结构不同;利...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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