SONOS器件制作工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种自对准SONOS器件制作工艺方法，选择管多晶硅栅采用自对准刻蚀，使得选择管的尺寸不受限于光刻，有利于缩小选择管；存储单元源漏接触孔采用自对准刻蚀，有利于缩小存储单元的面积。本发明专利技术能够减小存储单元面积。

【技术实现步骤摘要】
SONOS器件制作工艺方法
本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种SONOS(Semiconductor-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor闪速存储器)器件的制作工艺方法。
技术介绍
具有低操作电压、更好的COMS工艺兼容性的SONOS技术被广泛用于各种嵌入式电子产品，如金融IC卡、汽车电子等应用。2-TSONOS(2transistors两个晶体管存储一个比特位的数据)技术由于其低功耗得到了很多低功耗应用的青睐。2-TSONOS应用中由于SONOS存储管的源漏端在操作时是直接连接到固定电压上，因此容易受到干扰。采用SONOS存储管全隔离器件结构能更好的抑制各种干扰，提高器件性能。SONOS存储管全隔离器件结构如图1所示，SONOS存储管的两侧各有一个选择管，两侧的选择管将中间SONOS存储管与源漏区完全隔离。因此，可以通过电压控制使得两侧的选择管处于关断状态，使得选中行的操作对非选中行的干扰大大减小。图1中，31为衬底，32为ONO(氧化层-氮化层-氧化层)层，33为存储管栅，34为栅氧化层，35为选择管栅，36为存储管上方的氧化层。虽然上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自对准SONOS器件制作工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在P型衬底的上端依次形成一层第一氧化层、第一多晶硅层和第一氮化硅层；步骤2、光刻打开，刻蚀所述第一氮化硅层，在打开的第一氮化硅层的开口内进行第一多晶硅层选择管多晶硅栅重掺杂注入并进行热激活扩散，实现选择管多晶硅栅的多晶硅掺杂；步骤3、刻蚀所述第一多晶硅层，使步骤2中形成的开口向下在第一多晶硅层中延伸，进行存储管阈值电压调整的离子注入；在所述开口内淀积侧墙氧化层并刻蚀，刻蚀后只在开口内的侧端形成氧化层侧墙，并将开口底部处的P型衬底暴露出来；步骤4、形成ONO层；步骤5、淀积第二多晶硅层，并进行离子注入掺杂；步骤6、以预留...

【技术特征摘要】
1.一种自对准SONOS器件制作工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在P型衬底的上端依次形成一层第一氧化层、第一多晶硅层和第一氮化硅层；步骤2、光刻打开，刻蚀所述第一氮化硅层，在打开的第一氮化硅层的开口内进行第一多晶硅层选择管多晶硅栅重掺杂注入并进行热激活扩散，实现选择管多晶硅栅的多晶硅掺杂；步骤3、刻蚀所述第一多晶硅层，使步骤2中形成的开口向下在第一多晶硅层中延伸，进行存储管阈值电压调整的离子注入；在所述开口内淀积侧墙氧化层并刻蚀，刻蚀后只在开口内的侧端形成氧化层侧墙，并将开口底部处的P型衬底暴露出来；步骤4、形成ONO层；步骤5、淀积第二多晶硅层，并进行离子注入掺杂；步骤6、以预留的第一氮化硅层为停止层进行CMP，将存储管SONOS多晶硅栅极区域之外的第一氮化硅层之上的第二多晶硅层和ONO层去除，形成存储管SONOS多晶硅栅；步骤7、在所述存储管SONOS多晶硅栅顶部形成氧化层的结构；步骤8、湿法去除第一氮化硅层，淀积第二氮化硅层并刻蚀，刻蚀完之后在存储管SONOS多晶硅栅的上半部分的两侧形成第一氮化硅侧墙；该第一氮化硅侧墙淀积的厚度决定了两侧存储管的大小；采用光刻胶显影定义逻辑区晶体管多晶硅栅；步骤9、干法刻蚀所述第一多晶硅层，同时形成选择管多晶硅栅和逻辑区晶体管多晶硅栅；热氧化在选择管多晶硅栅的侧壁、逻辑区晶体管多晶硅栅的侧壁和顶部形成侧墙氧化层，在P型衬底的上端进行轻漏极掺杂形成PN结；步骤10、淀积第三氮化硅层并刻蚀形成第二氮化硅侧墙，进行源漏注入形成逻辑区晶体管的源端和漏端，同时形成选择管的漏端，刻蚀第二氧化层、侧墙氧化层和第一氧化层，将存储管SONOS多晶硅栅极的顶部、逻辑区晶体管多晶硅栅极的顶部、源漏处P型衬底暴露出来；进行自对准多晶硅化物生长；步骤11、介质隔离层生长并平坦化，进行接触孔光刻以及刻蚀，形成位于选择管两侧的源漏接触孔、存储管SONOS多晶硅栅上端的接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：许昭昭，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31