【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本专利技术涉及半导体制造
,特别是涉及一种半导体器件。
技术介绍
作为第三代半导体材料的代表,氮化镓(GaN)具有许多优良的特性,高临界击穿电场、高电子迁移率、高二维电子气浓度和良好的高温工作能力等。基于氮化镓的第三代半导体器件,如高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质结场效应晶体管(HFET)等已经得到了应用,尤其在射频、微波等需要大功率和高频率的领域具有明显优势。为了提高氮化镓HEMT器件的二维电子气的浓度从而获得更大的器件功率,常规的方法是采用具有高Al组份的AlGaN/GaN基的HEMT。但提高Al的组份会使AlGaN薄膜受到更大的拉应力,如果拉应力超过一定的程度,则在AlGaN层内会产生微裂纹,从而导致HEMT器件的良率问题或可靠性问题。另外,在器件制造工艺中的各种热处理(如温度快速升高与降低)也可能导致AlGaN层内的微裂纹的产生。
技术实现思路
基于此,有必要针对上述AlGaN层内会产生微裂纹的问题,提供一种半导体器件。本申请提供一种半导体器件,包括:衬底、位于所述衬底上的GaN缓冲层和位于所述GaN缓冲层上的ScAlN势垒层,所述ScA ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:衬底、位于所述衬底上的GaN缓冲层和位于所述GaN缓冲层上的ScAlN势垒层,所述ScAlN势垒层包括源极区域、漏极区域和栅极区域,所述源极区域与漏极区域上设有n型接触层。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:衬底、位于所述衬底上的GaN缓冲层和位于所述GaN缓冲层上的ScAlN势垒层,所述ScAlN势垒层包括源极区域、漏极区域和栅极区域,所述源极区域与漏极区域上设有n型接触层。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述ScAlN势垒层中Sc元素的组份为16%-20%。3.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述GaN缓冲层与所述ScAlN势垒层之间设有InGaN或者GaN导电层。4.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:倪贤锋,范谦,何伟,
申请(专利权)人:苏州汉骅半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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