【技术实现步骤摘要】
能提高耐压能力的半导体器件终端结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体器件结构及其制造方法，尤其是能提高耐压能力的半导体器件终端结构及其制造方法，属于半导体器件的制造
技术介绍
在功率半导体器件领域，现有的金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）通常采用场限环结构作为终端结构，所述传统结构的终端保护区在第一导电类型漂移区2上设有至少一个第二导电类型场限环5，利用多个场限环的分压作用，用来改善芯片外围的局部电场集中效应，从而提升芯片的击穿电压及可靠性，虽然场限环结构能够有效提高终端耐压，但对于高压产品，想进一步提高耐压，需增加场限环的数量，这样会使得终端的宽度较大，有源区面积减小，不利于降低导通电阻。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种能提高耐压能力的半导体器件终端结构及其制造方法，该器件制造方法与现有半导体工艺兼容，不仅能提高器件的耐压能力，且能减小终端的宽度，增大有源区的面积，进而...
【技术保护点】
1.能提高耐压能力的半导体器件终端结构，包括终端保护区，所述终端保护区环绕在元胞区的周围，所述终端保护区包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底（1）及位于第一导电类型衬底（1）上的第一导电类型漂移区（2），其特征在于，在终端保护区，所述第一导电类型漂移区（2）内设有一个环绕元胞区的第二导电类型场限环区（5），所述第二导电类型场限环区（5）内第二导电类型离子浓度从终端区指向元胞区的方向上逐渐增大，形成浓度渐变梯度。
【技术特征摘要】
1.能提高耐压能力的半导体器件终端结构，包括终端保护区，所述终端保护区环绕在元胞区的周围，所述终端保护区包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底（1）及位于第一导电类型衬底（1）上的第一导电类型漂移区（2），其特征在于，在终端保护区，所述第一导电类型漂移区（2）内设有一个环绕元胞区的第二导电类型场限环区（5），所述第二导电类型场限环区（5）内第二导电类型离子浓度从终端区指向元胞区的方向上逐渐增大，形成浓度渐变梯度。2.根据权利要求1所述的能提高耐压能力的半导体器件终端结构，其特征在于：在终端保护区，所述第一导电类型漂移区（2）上设有场氧化层（6），所述场氧化层（6）上覆盖有导电多晶硅（8），所述导电多晶硅（8）上覆盖有绝缘介质层（9），所述绝缘介质层（9）上设有栅极金属（11）与终端金属（12），所述栅极金属（11）穿过绝缘介质层（9）内的通孔与导电多晶硅（8）接触，所述终端金属（12）为浮空。3.根据权利要求1所述的能提高耐压能力的半导体器件终端结构，其特征在于：在终端保护区，所述绝缘介质层（9）穿过导电多晶硅（8）与场氧化层（6）连接。4.根据权利要求1所述的能提高耐压能力的半导体器件终端结构，其特征在于：在元胞区，在所述第一导电类型漂移区（2）内设有第二导电类型体区（13）、位于所述第二导电类型体区（13）内的第一导电类型源区（14）及位于第二导电类型体区（13）间的栅氧化层（7）、导电多晶硅（8），所述栅氧化层（7）位于导电多晶硅（8）下方，所述导电多晶硅（8）上覆盖有绝缘介质层（9），所述绝缘介质层（9）的通孔内填充有源极金属（10），所述源极金属（10）穿过绝缘介质层（9）内的通孔与第二导电类型体区（13）内的第一导电类型源区（14）接触。5.根据权利要求1所述的能提高耐压能力的半导体器件终端结构，其特征在于：在元胞区到终端保护区的过渡区，所述第二导电类型场限环区（5）与第一导电类型漂移区（2）内的第二导电类型体区（13）连接，且第二导电类型体区（13）的结深小于第二导电类型场限环区（5）的结深。6.能提高耐压能力的半导体器件终端结构的制作方法，其特征是，包括如下步骤：步骤一.提供一半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型漂移区（2）以及位于所述第一导电类型漂移区（2）下方的第一导电类型衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘锋，周祥瑞，殷允超，
申请(专利权)人：江苏捷捷微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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