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苏州汉骅半导体有限公司
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半导体器件制造技术
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文档序号:19100306
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本发明涉及一种半导体器件,包括:衬底、位于所述衬底上的GaN缓冲层和位于所述GaN缓冲层上的ScAlN势垒层,所述ScAlN势垒层包括源极区域、漏极区域和栅极区域,所述源极区域与漏极区域上设有n型接触层。本发明所提供的半导体器件,能够有效增...
该专利属于苏州汉骅半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州汉骅半导体有限公司授权不得商用。
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