存储器及半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种存储器及半导体器件，存储器包括：位于衬底内的多个呈阵列排布且沿第一方向延伸的有源区、多条沿第二方向延伸的字线以及多条沿第三方向延伸的位线，有源区中形成有位线接触区和存储节点接触区，位线与相应的所述有源区相交以使相应的所述有源区中的位线接触区连接至位线，还包括位于衬底的有源区上并与存储节点接触区对应连接的存储节点接触，以及形成在衬底上的接触垫，接触垫与存储节点接触电性连接并相对于存储节点接触沿着第二方向偏移延伸，接触垫的排列图案不同于存储节点接触的排布图案，在接触垫上形成的存储电容能够获得较高的排布密度，由此提高存储器的集成度。

【技术实现步骤摘要】
存储器及半导体器件
本技术涉及半导体
，特别涉及一种存储器及半导体器件。
技术介绍
存储器通常包括存储电容器以及连接到所述存储电容器的存储晶体管，所述存储电容器用来存储代表存储信息的电荷。所述存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极，所述栅极用于控制所述源区和漏区之间的电流流动，并连接至字线，所述源区用于构成位线接触区，以连接至位线，所述漏区用于构成存储节点接触区，以连接至存储电容器。随着半导体制作工艺中集成度的不断增加，提升存储器的集成密度已成为一种趋势。然而，在元件尺寸缩减的要求下，存储电容器的排布数量受到很大的限制。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种存储器及半导体器件，提高存储器中存储电容器的集成度。为解决上述技术问题，本技术提供一种存储器，包括：衬底，包括多个有源区，位于所述衬底内并呈阵列排布，所述有源区沿着第一方向延伸，并且每一所述有源区中形成有一位线接触区和多个存储节点接触区，所述存储节点接触区延伸在所述有源区的延伸方向上并位于所述位线接触区的两侧；多条字线，位于所述衬底内并沿着第二方向延伸；多条位线，位于所述衬底上并沿着第三方向延伸，其中，所述位线与相应的所述有源区相交以使相应的所述有源区中的所述位线接触区连接至所述位线；多个存储节点接触，位于所述衬底的所述有源区上并与所述存储节点接触区对应连接；以及多个接触垫，形成在所述衬底上，所述接触垫与对应的所述存储节点接触电性连接并相对于连接的所述存储节点接触沿着所述第二方向偏移延伸，并且所述接触垫的排布图案不同于所述存储节点接触的排布图案。可选的，还包括多条字线隔离线，位于所述衬底上并沿第二方向延伸，所述字线隔离线对准在所述字线上。可选的，所述字线隔离线的顶面高于所述位线的顶面，用于限制所述接触垫沿所述第二方向在所述字线隔离线之间的偏移延伸。可选的，在第二方向上相邻的所述接触垫沿着所述第二方向往相同的方向偏移，在第三方向上相邻的所述接触垫沿着所述第二方向往相反的方向偏移。可选的，还包括多个存储电容，设置在所述接触垫上，所述存储电容相对于所述存储节点接触沿着所述第二方向偏移。可选的，相邻的多个所述存储电容排布成正六边形，在所述正六边形的顶角各设置有一个所述存储电容，所述正六边形的中心包围一个所述存储电容。基于以上所述的存储器，本技术还提供一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底中形成有多个接触区；多条隔离线，形成在所述衬底上并沿着预定方向延伸；多个接触部，形成在所述衬底上并与所述接触区对应连接；多个接触垫，形成在所述衬底上，所述接触垫与所述接触部电性连接并相对于所述接触部沿着预定方向偏移延伸在所述隔离线之间。本技术提供的存储器及半导体器件中，所述存储器包括：位于衬底内的多个呈阵列排布且沿第一方向延伸的有源区、多条沿第二方向延伸的字线以及多条沿第三方向延伸的位线，所述有源区中形成有位线接触区和存储节点接触区，所述位线与相应的所述有源区相交以使相应的所述有源区中的位线接触区连接至所述位线，还包括位于所述衬底的所述有源区上并与存储节点接触区对应连接的存储节点接触，以及形成在所述衬底上的接触垫，所述接触垫与所述存储节点接触电性连接并相对于所述存储节点接触沿着所述第二方向偏移延伸，所述接触垫的排列图案不同于所述存储节点接触的排布图案，在所述接触垫上形成的存储电容能够获得较高的排布密度，由此提高存储器的集成度。进一步的，相邻的多个所述存储电容排布成正六边形，在所述正六边形的顶角各设置有一个所述存储电容，所述正六边形的中心包围一个所述存储电容。附图说明图1为本技术一实施例中的存储器的制备方法的流程示意图；图2a为本技术一实施例中的存储器在其执行步骤S100与步骤S200的过程中形成有源区与字线的俯视图；图2b为图2a沿A-A’方向的剖面示意图；图3a为本技术一实施例中的存储器在其执行步骤S300的过程中形成位线接触与位线的俯视图；图3b为图3a沿B-B’方向的剖面示意图；图4a为本技术一实施例中的存储器在其执行步骤S400的过程中形成存储节点接触的俯视图；图4b为图4a沿A-A’方向的剖面示意图；图5a为本技术一实施例中的存储器在其执行步骤S500的过程中形成接触垫的俯视图；图5b为图5a沿A-A’方向的剖面示意图；图5c为图5a沿C-C’方向的剖面示意图；图6a为本技术一实施例中的存储器在其执行步骤S500的过程中形成存储电容的俯视图；图6b为图6a沿A-A’方向的剖面示意图；其中，附图标记如下：10-衬底；11-隔离结构；12-有源区；121-位线接触区；122-存储节点接触区；13-字线；131-第一介质层；132-第一导电层；133-第二导电层；134-第一绝缘层；14-位线接触；141-第二绝缘层；15-位线；151-第三导电层；152-第四导电层；153-第二介质层；16-存储节点接触；161-字线隔离线；17-接触垫；171-第四绝缘层；18-存储电容；181-第五绝缘层；182-绝缘介质膜层；183-支撑层184-第一电极；185-电容介质层；186-第二电极；X-第一方向；Y-第二方向；Z-第三方向。具体实施方式如
技术介绍
所述，为了提高存储电容的集成度，本技术提供了一种存储器的制备方法，如图1所示，所述制备方法包括：步骤S100，提供一衬底，在所述衬底上形成多个呈阵列排布且沿第一方向延伸的有源区，每一所述有源区中形成有一位线接触区和多个存储节点接触区，所述存储节点接触区延伸在所述有源区的延伸方向上并位于所述位线接触区的两侧；步骤S200，形成多条沿第二方向延伸的字线在所述衬底内；步骤S300，形成多条沿第三方向延伸的位线在所述衬底上，所述位线与相应的所述有源区相交以使相应的所述有源区中的所述位线接触区连接至所述位线；步骤S400，形成多个存储节点接触在所述衬底的所述有源区上，所述存储节点接触与所述存储节点接触区对应连接；步骤S500，形成一接触垫在所述衬底上，所述接触垫与对应的所述存储节点接触电性连接并相对于连接的所述存储节点接触沿着所述第二方向偏移延伸，并且所述接触垫的排列图案不同于所述存储节点接触的排布图案。本技术提供的存储器的制备方法中，在所述衬底上形成多个呈阵列排布且沿第一方向延伸的有源区、多条沿第二方向延伸的字线以及多条沿第三方向延伸的位线，所述有源区中形成有位线接触区和存储节点接触区，所述位线与相应的所述有源区相交以使相应的所述有源区中的位线接触区连接至所述位线，然后在所述衬底的所述有源区上形成一存储节点接触，所述存储节点接触与存储节点接触区对应连接，然后在所述衬底上形成一接触垫，所述接触垫与所述存储节点接触电性连接并相对于所述存储节点接触沿着所述第二方向偏移延伸，所述接触垫的排列图案不同于所述存储节点接触的排布图案，在所述接触垫上直接形成存储电容，能够提高存储电容的排布密度，由此提高存储器的集成度。以下结合附图和具体实施例对本技术提出存储器及其制备方法、半导体器件作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。图2a为本实用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器，其特征在于，包括：衬底，包括多个有源区，位于所述衬底内并呈阵列排布，所述有源区沿着第一方向延伸，并且每一所述有源区中形成有一位线接触区和多个存储节点接触区，所述存储节点接触区延伸在所述有源区的延伸方向上并位于所述位线接触区的两侧；多条字线，位于所述衬底内并沿着第二方向延伸；多条位线，位于所述衬底上并沿着第三方向延伸，其中，所述位线与相应的所述有源区相交以使相应的所述有源区中的所述位线接触区连接至所述位线；多个存储节点接触，位于所述衬底的所述有源区上并与所述存储节点接触区对应连接；以及多个接触垫，形成在所述衬底上，所述接触垫与对应的所述存储节点接触电性连接并相对于连接的所述存储节点接触沿着所述第二方向偏移延伸，并且所述接触垫的排列图案不同于所述存储节点接触的排列图案。

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底，包括多个有源区，位于所述衬底内并呈阵列排布，所述有源区沿着第一方向延伸，并且每一所述有源区中形成有一位线接触区和多个存储节点接触区，所述存储节点接触区延伸在所述有源区的延伸方向上并位于所述位线接触区的两侧；多条字线，位于所述衬底内并沿着第二方向延伸；多条位线，位于所述衬底上并沿着第三方向延伸，其中，所述位线与相应的所述有源区相交以使相应的所述有源区中的所述位线接触区连接至所述位线；多个存储节点接触，位于所述衬底的所述有源区上并与所述存储节点接触区对应连接；以及多个接触垫，形成在所述衬底上，所述接触垫与对应的所述存储节点接触电性连接并相对于连接的所述存储节点接触沿着所述第二方向偏移延伸，并且所述接触垫的排列图案不同于所述存储节点接触的排列图案。2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括多条字线隔离线，位于所述衬底上并沿第二方向延伸，所述字线隔离线对准在所述字线上。3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34