非对称鳍内存晶体管及半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种非对称鳍内存晶体管及半导体器件。在本实用新型专利技术提供的非对称鳍内存晶体管中，字线的底部覆盖在所述有源区侧边的鳍部两端长度不相同。因此本实用新型专利技术中可以降低制程难度，此外，利用长度不同的字线诱发单边电场，相比长度相同的字线诱发的双边电场强度低，可有效改善漏电流。

【技术实现步骤摘要】
非对称鳍内存晶体管及半导体器件
本技术涉及半导体
，特别涉及一种非对称鳍内存晶体管及半导体器件。
技术介绍
集成电路已经从单一的芯片上集成数十个器件发展为集成数百万器件。传统的集成电路的性能和复杂性已经远远超过了最初的想象。为了实现在复杂性和电路密度(在一定芯片面积上所能容纳的器件的数量)方面的提高，器件的特征尺寸，也称为“几何尺寸(geometry)”，随着每一代的集成电路已经越变越小。提高集成电路密度不仅可以提高集成电路的复杂性和性能，而且对于消费者来说也能降低消费。使器件更小是有挑战性的，因为在集成电路制造的每一道工艺都有极限，也就是说，一定的工艺如果要在小于特征尺寸的条件下进行，需要更换该工艺或者器件布置；另外，由于越来越快的器件设计需求，传统的工艺和材料存在工艺限制。DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即动态随机存取存储器是最为常见的系统内存；该DRAM存储器为一种半导体器件，其性能已经取得很大的发展，但仍有进一步发展的需求。在现有技术中，鳍式DRAM为一种常见的结构，但是，能否控制鳍两侧有源区的高度达到所需标准，直接制约着DRAM的性能。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种非对称鳍内存晶体管，提高其的性能。为解决上述技术问题，本技术提供一种非对称鳍内存晶体管，包括：一衬底；具有多个有源区，形成于所述衬底中；隔离结构，形成于所述衬底中并围绕所述有源区；以及，多条字线，形成于所述衬底中，所述多条字线穿过所述隔离结构和所述有源区，且所述字线的底部覆盖在所述有源区侧边的鳍部两端长度不相同，以改善漏电流。可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，多个所述有源区排布成多排，每一排中所有的所述有源区的排布方向与所述有源区的长度方向呈锐角，相邻排的有源区平行排列。可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，每条所述字线穿过多排有源区，且在每排中穿过相邻的两个所述有源区。可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，对于同一条字线，在相邻排中的两个所述有源区之间的所述字线的底部距离所述字线在所述有源区的底部的高度差值为a，在同一排中相邻的两个所述有源区之间的所述字线的底部距离所述字线在所述有源区的底部的高度差值为b，其中，a≠b。可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，|a-b|≥0.5*Min(a，b)，其中Min(a，b)表示取a和b中的较小者。可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，若a>b，则1nm≤a≤500nm，0.5nm≤b≤300nm。可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，若a<b，则0<a≤300nm，0.5nm≤b≤500nm。可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，所述隔离结构包括位于所述有源区的侧壁上的第一隔离材料层，所述第一隔离材料层的厚度为1～200nm。可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，所述隔离结构还包括位于所述第一隔离材料层上的第二隔离材料层。可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，相邻所述有源区之间在所述字线延伸方向形成有第一间距和第二间距，所述第一间距大于所述第二间距，所述隔离结构的顶部在所述第一间距的区段高度较高于在所述第二间距的区段高度，使得所述字线的底部在所述有源区对应所述第一间距的侧边长度小于对应所述第二间距的侧边长度。可选的，对于所述的非对称鳍内存晶体管，相邻所述有源区之间在所述字线延伸方向形成有第一间距和第二间距，所述第一间距大于所述第二间距，所述隔离结构的顶部在所述第一间距的区段高度较低于在所述第二间距的区段高度，使得所述字线的底部在所述有源区对应所述第一间距的侧边长度大于对应所述第二间距的侧边长度。本技术还提供一种半导体器件，包括：一衬底；多个阵列结构，形成于所述衬底中；围绕结构，形成于所述衬底中并围绕所述阵列结构的外部和之间；以及贯穿结构，形成于所述衬底中，多个所述贯穿结构穿过所述阵列结构以及所述围绕结构在所述阵列结构之间的部分，且所述贯穿结构的底部覆盖在所述阵列结构的相对两穿过侧的两端长度为不相同。在本技术提供的非对称鳍内存晶体管中，字线的底部覆盖在所述有源区侧边的鳍部两端长度不相同。因此本技术中可以降低制程难度，此外，利用长度不同的字线诱发单边电场，相比长度相同的字线诱发的双边电场强度低，可有效改善漏电流。附图说明图1为一种内存晶体管的结构示意图；图2为另一种内存晶体管的结构示意图；图3为本技术一实施例的非对称鳍内存晶体管的形成方法的流程示意图；图4为本技术一实施例的非对称鳍内存晶体管的俯视示意图；图5为本技术一实施例的非对称鳍内存晶体管的形成方法中沿图4的A-A'提供衬底的剖面示意图；图6为本技术一实施例的非对称鳍内存晶体管的形成方法中沿图4的A-A'形成有源区图形的剖面示意图；图7为本技术一实施例的非对称鳍内存晶体管的形成方法中沿图4的A-A'形成第一隔离材料层的剖面示意图；图8为本技术一实施例的非对称鳍内存晶体管的形成方法中沿图4的A-A'形成第二隔离材料层的剖面示意图；图9为本技术一实施例的非对称鳍内存晶体管的形成方法中沿图4的A-A'形成隔离结构的剖面示意图；图10为本技术一实施例的非对称鳍内存晶体管的形成方法中沿图4的A-A'形成有源区的剖面示意图；图11为本技术一实施例的非对称鳍内存晶体管的形成方法中沿图4的A-A'形成第一字线沟槽、第二字线沟槽和第三字线沟槽的剖面示意图；图12为本技术一实施例的非对称鳍内存晶体管的形成方法中沿图4的A-A'形成字线的剖面示意图；图13为本技术另一实施例的非对称鳍内存晶体管的形成方法中沿图4的A-A'形成第一字线沟槽、第二字线沟槽和第三字线沟槽的剖面示意图；图14为本技术另一实施例的非对称鳍内存晶体管的形成方法中沿图4的A-A'形成字线的剖面示意图；图15为本技术另一实施例的非对称鳍内存晶体管的俯视示意图；其中，附图标记如下：10，20-隔离材料层；100-衬底；11，21，101a，101b，101-有源区；101'有源区图形；12-对称鳍栅极结构；22-非对称鳍栅极结构；1021-第一绝缘隔离沟槽；1022-第二绝缘隔离沟槽；103-第一隔离材料层；104-第二隔离材料层；105-第一字线沟槽；106-第二字线沟槽；107-第三字线沟槽；120-字线；S-正对部分。具体实施方式下面将结合示意图对本技术的非对称鳍内存晶体管及半导体器件进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术，而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本技术。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。在下面的描述中，应该理解，当层(或膜)、区域、图案或结构被称作在衬底、层(或膜)、区域、焊盘和/或图案“上”时，它可以直接位于另一个层或衬底上，和/或还可以存在插入层。另外，应该理解，当层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非对称鳍内存晶体管，其特征在于，包括：一衬底，具有多个有源区，形成于所述衬底中；隔离结构，形成于所述衬底中并围绕所述有源区；以及，多条字线，形成于所述衬底中，所述多条字线穿过所述隔离结构和所述有源区，且所述字线的底部覆盖在所述有源区侧边的鳍部两端长度不相同，以改善漏电流。

【技术特征摘要】
1.一种非对称鳍内存晶体管，其特征在于，包括：一衬底，具有多个有源区，形成于所述衬底中；隔离结构，形成于所述衬底中并围绕所述有源区；以及，多条字线，形成于所述衬底中，所述多条字线穿过所述隔离结构和所述有源区，且所述字线的底部覆盖在所述有源区侧边的鳍部两端长度不相同，以改善漏电流。2.如权利要求1所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，多个所述有源区排布成多排，每一排中所有的所述有源区的排布方向与所述有源区的长度方向呈锐角，相邻排的有源区平行排列。3.如权利要求2所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，每条所述字线穿过多排有源区，且在每排中穿过相邻的两个所述有源区。4.如权利要求3所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，对于同一条字线，在相邻排中的两个所述有源区之间的所述字线的底部距离所述字线在所述有源区的底部的高度差值为a，在同一排中相邻的两个所述有源区之间的所述字线的底部距离所述字线在所述有源区的底部的高度差值为b，其中，a≠b。5.如权利要求4所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，|a-b|≥0.5*Min(a，b)，其中Min(a，b)表示取a和b中的较小者。6.如权利要求5所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，若a>b，则1nm≤a≤500nm，0.5nm≤b≤300nm。7.如权利要求5所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，若a<b，则0<a≤300nm，0.5nm≤b≤500nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34