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存储器及半导体器件制造技术
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文档序号:18147094
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本实用新型提供了一种存储器及半导体器件,存储器包括:位于衬底内的多个呈阵列排布且沿第一方向延伸的有源区、多条沿第二方向延伸的字线以及多条沿第三方向延伸的位线,有源区中形成有位线接触区和存储节点接触区,位线与相应的所述有源区相交以使相应的所述...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。
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