层叠芯片的制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
层叠芯片的制造方法
本专利技术涉及由多个芯片层叠而成的层叠芯片的制造方法。
技术介绍
为了实现半导体装置的进一步小型化、高集成化，实用化了在厚度方向上重叠多个半导体芯片而利用贯通电极(TSV：ThroughSiliconVia：硅通孔)等进行连接的三维安装技术。在该技术中，为了抑制最终制造出的层叠芯片的厚度而使用通过磨削等方法变薄了的半导体芯片。但是，当在构成层叠芯片的半导体芯片的厚度上存在偏差时，很难形成与规定的厚度一致的层叠芯片。因此，提出了如下方法：在通过磨削等方法使作为半导体芯片的晶片变薄之前，对正面侧的树脂层进行平坦化而抑制因磨削导致的厚度的偏差(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2008-182015号公报但是，在上述的方法中，由于需要区别于磨削装置而准备刀具切削用的切削装置(刀具切削装置)，所以制造成本容易变高。并且，利用该方法也无法完全地抑制厚度的偏差。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于，提供层叠芯片的制造方法，能够制造出与规定的厚度一致的层叠芯片。根据本专利技术的一个方式，提供层叠芯片的制造方法，所述层叠芯片由多个...
【技术保护点】
一种层叠芯片的制造方法，所述层叠芯片由多个芯片层叠而成，该层叠芯片的制造方法的特征在于，具有如下的步骤：芯片形成步骤，对晶片的背面进行磨削而使晶片变薄，将晶片分割成多个芯片；测量步骤，对通过该芯片形成步骤而得到的各芯片的厚度进行测量；以及芯片层叠步骤，根据通过该测量步骤测量出的各芯片的厚度来选择要层叠的多个芯片而进行层叠，以便在层叠了多个芯片时成为规定的厚度。
【技术特征摘要】
2016.10.14 JP 2016-2030711.一种层叠芯片的制造方法，所述层叠芯片由多个芯片层叠而成，该层叠芯片的制造方法的特征在于，具有如下的步骤：芯片形成步骤，对晶片的背面进行磨削而使晶片变薄，将晶片分割成多个芯片；测量步骤，对通过该芯片形成步骤而得到的各芯片的厚度进行...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。