无阻挡层金属层功率器件I制造技术

本发明专利技术公开了一种无阻挡层金属层功率器件I

【技术实现步骤摘要】
无阻挡层金属层功率器件IGSS失效点定位方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种无阻挡层金属层功率器件IGSS失效点定位方法。
技术介绍
功率器件ID或者BV（击穿电压）失效进行失效分析时，一般由于正面金属层太厚，失效点很难定位，需要去除AL层，芯片正面只留阻挡层后再通过芯片正面栅极Gate加压和源极Source接地进行测试，在失效状态下进行失效点的定位后进行后续分析。目前对于无阻挡层功率器件IGSS（栅源漏电电流）fail是一个分析难点，带金属时，由于金属层厚而无法定位，去除金属层，由于无阻挡层，测试时通路无法建立，导致后续分析无法进行下去。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种无阻挡层金属层功率器件IGSS失效点定位方法。为解决上述问题，本专利技术所述的一种无阻挡层金属层功率器件IGSS失效点定位方法，包含如下的步骤：第一步，将待分析的失效硅片样品正面使用保护层保护；第二步，利用药液去除背面金属；第三步，使用药液除去保护层；第四步，除去失效管芯之外的其他无关区域；第五步，打线，将栅极与源极引出；第六步，在样品背面涂上一层有机层；第七步，对需要测试的失效管芯，利用测试机台进行测试抓点；对于失效点，在样品背面打标后再抓点，确认标与失效点相对位置；第八步，利用机台打打标点，确认失效点在样品的相对位置，进一步根据机台的相对位置，利用FIB位移功能确认精确的相对位置；第九步，把样品正面朝上，利用之前的相对位置，以及FIB位置功能位移至失效点的区域；第十步，针对确认的失效点进行后续FIB结构分析。进一步地，所述第一步中，保护层是不与王水反应的一类材质，确保后续在不损伤样品的情况下处理干净。进一步地，所述保护层为胶水。进一步地，所述第二步中，需完全并且均匀地去除背面金属；所述药液包含但不仅限于王水、盐酸。进一步地，所述第三步，药液包含但不仅限于丙酮、发烟硝酸。进一步地，所述第五步，使样品背面朝上，将样品固定于不导电的材质上，包含但不仅限于玻璃、有机玻璃；引出线固定于指定的测试PAD。进一步地，所述第六步，加涂有机层便于后续标记定位，有机层厚度为10μm以下。进一步地，所述第八步，机台包含但不仅限于光学显微镜。本专利技术所述的无阻挡层金属层功率器件IGSS失效点定位方法，针对无阻挡层金属层的功率器件，能准确有效地定位IGSS失效点的位置，便于分析失效原因，调整制程工艺。附图说明图1是本专利技术将待分析样品用保护层保护后的状态。图2是本专利技术去除背面金属层后的状态示意图。图3是本专利技术去除保护层后的状态示意图。图4是本专利技术翻转样品，将其背面朝上，并进行打线的状态示意图。图5是本专利技术在样品背面涂有机层的示意图。图6是本专利技术进行测试抓点的示意图。图7是本专利技术利用机台打打标点的示意图。图8是本专利技术把样品正面朝上，利用之前的相对位置，以及FIB位置功能位移至失效点的区域。图9是本专利技术方法步骤流程示意图。附图标记说明1是硅片（硅片内部器件结构未示出），2是背面金属，3是正面金属，4是保护层，5是不导电材料，6是有机层。具体实施方式本专利技术所述的一种无阻挡层金属层功率器件IGSS失效点定位方法，包含如下的步骤：第一步，将待分析的失效硅片样品正面使用保护层保护，；保护层是不与王水反应的一类材质，一般使用胶水，确保后续在不损伤样品的情况下能去除干净。第二步，利用药液去除背面金属；药液包含王水或者盐酸等。吃方法能完全并且均匀地去除背面金属，其他方法如研磨等均匀度较难把握。第三步，使用如丙酮、发烟硝酸等一类的药液除去保护层。第四步，除去失效管芯die之外的其他无关区域。第五步，打线，将栅极与源极引出。使样品背面朝上，利用不导电的材料如玻璃、有机玻璃等来固定样品，以及引出线固定于指定的测试PAD。第六步，在样品背面涂上一层有机层；涂有几层的目的是因为，直接在硅片上打标记会显示不清楚，加涂有机层能方便后续打标定位。有机层6的厚度一般建议不超过10μm，第七步，对需要测试的失效管芯，利用测试机台进行测试抓点；对于失效点，在样品背面打标后再抓点，确认标与失效点相对位置。第八步，利用机台如光学显微镜打打标点，确认失效点在样品的相对位置，进一步根据光学显微镜的相对位置，利用FIB位移功能确认精确的相对位置。第九步，把样品正面朝上，利用之前的相对位置，以及FIB位置功能位移至失效点的区域。第十步，针对确认的失效点进行后续FIB结构分析。以上仅为本专利技术的优选实施例，并不用于限定本专利技术。对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无阻挡层金属层功率器件IGSS失效点定位方法，其特征在于：包含如下的步骤：第一步，将待分析的失效硅片样品正面使用保护层保护；第二步，利用药液去除背面金属；第三步，使用药液除去保护层；第四步，除去失效管芯之外的其他无关区域；第五步，打线，将栅极与源极引出；第六步，在样品背面涂上一层有机层；第七步，对需要测试的失效管芯，利用测试机台进行测试抓点；对于失效点，在样品背面打标后再抓点，确认标与失效点相对位置；第八步，进一步根据机台的相对位置，利用FIB位移功能确认精确的相对位置；第九步，再把样品正面朝上，利用之前的相对位置，以及FIB机台位移功能位移至失效点的区域；第十步，针对确认的失效点进行后续FIB结构分析。

【技术特征摘要】
1.一种无阻挡层金属层功率器件IGSS失效点定位方法，其特征在于：包含如下的步骤：第一步，将待分析的失效硅片样品正面使用保护层保护；第二步，利用药液去除背面金属；第三步，使用药液除去保护层；第四步，除去失效管芯之外的其他无关区域；第五步，打线，将栅极与源极引出；第六步，在样品背面涂上一层有机层；第七步，对需要测试的失效管芯，利用测试机台进行测试抓点；对于失效点，在样品背面打标后再抓点，确认标与失效点相对位置；第八步，进一步根据机台的相对位置，利用FIB位移功能确认精确的相对位置；第九步，再把样品正面朝上，利用之前的相对位置，以及FIB机台位移功能位移至失效点的区域；第十步，针对确认的失效点进行后续FIB结构分析。2.如权利要求1所述的无阻挡层金属层功率器件IGSS失效点定位方法，其特征在于：所述第一步中，保护层是不与王水反应的一类材质，确保后续在不损伤样品的情况下能去除干净。3.如权利要求2所述的无阻挡层金属层功率器件IGSS失效点定位方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：芮志贤，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31