检查用晶片和检查用晶片的使用方法技术

提供检查用晶片和检查用晶片的使用方法，既能够抑制在激光加工时漏光对器件的影响，又能够找出能够对晶片进行良好地分割的加工条件。在通过激光加工在晶片(W)的内部形成改质层(M)的激光加工装置(1)中，代替晶片而使用该检查用晶片(WA)，其用于对激光加工时的漏光进行检查，其中，该检查用晶片(WA)具有：检查用基板(41)；基底层(42)，其按照规定的厚度形成在检查用基板的整个正面上；以及金属箔(43)，其层叠在基底层上，基底层的厚度形成为漏光对晶片的器件和检查用晶片的金属箔的影响一致。

【技术实现步骤摘要】
检查用晶片和检查用晶片的使用方法
本专利技术涉及在激光加工装置中使用的检查用晶片和检查用晶片的使用方法。
技术介绍
作为晶片的分割方法，公知有沿着分割预定线在晶片的基板的内部形成改质层然后以改质层为起点对晶片进行分割的方法(例如，参照专利文献1)。在专利文献1所记载的分割方法中，从晶片的背面侧照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层。并且，通过切割或扩展对晶片施加外力，从而以强度降低的改质层为分割起点将晶片分割成各个器件芯片。专利文献1：日本特许第3408805号公报但是，通常从晶片的背面侧照射的激光光线会聚在器件附近，无助于改质层的形成的激光光线会从聚光点朝向晶片的正面侧的器件扩散。由于来自该聚光点的激光光线的漏光照射到器件上，所以产生器件受热而破损的不良情况。另一方面，能够通过降低激光光线的输出或使聚光点的位置远离器件来抑制漏光对器件的影响，但存在很难以改质层为起点对晶片进行分割的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该点而完成的，其目的之一在于，提供检查用晶片和检查用晶片的使用方法，既能够抑制激光加工时漏光对器件的影响，又能够找出能够对晶片进行良本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检查用晶片，其使用在如下的激光加工装置中，该激光加工装置从在正面上由分割预定线划分而形成有多个器件的晶片的背面对构成晶片的基板照射透过性波长的激光光线，使该激光光线会聚在基板的内部而沿着分割预定线在基板的内部形成改质层，该激光光线会聚于该检查用晶片，该检查用晶片对无助于形成该改质层的激光光线从该改质层对器件造成影响的漏光进行检查，其中，该检查用晶片包含：检查用基板；基底层，其按照规定的厚度形成在该检查用基板的整个正面上；以及金属箔，其层叠在该基底层上，该基底层形成为该金属箔能够只检测出对器件造成影响的漏光的厚度。

【技术特征摘要】
2016.10.14 JP 2016-2022281.一种检查用晶片，其使用在如下的激光加工装置中，该激光加工装置从在正面上由分割预定线划分而形成有多个器件的晶片的背面对构成晶片的基板照射透过性波长的激光光线，使该激光光线会聚在基板的内部而沿着分割预定线在基板的内部形成改质层，该激光光线会聚于该检查用晶片，该检查用晶片对无助于形成该改质层的激光光线从该改质层对器件造成影响的漏光进行检查，其中，该检查用晶片包含：检查用基板；基底层，其按照规定的厚度形成在该检查用基板的整个正面上；以及金属箔，其层叠在该基底层上，该基底层形...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔星一，伊贺勇人，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP