ＳＯＩ芯片的制造方法及ＳＯＩ芯片技术

本发明专利技术是一种ＳＯＩ芯片的制造方法，在该ＳＯＩ芯片的ＢＯＸ层上具有ＳＯＩ层，在该ＳＯＩ层上，使外延层成长而将ＳＯＩ层增厚，其中，使用ＳＯＩ芯片来使外延成长，该使所述外延层成长的ＳＯＩ芯片的在８００～１３００纳米的红外线波长区域中的红外线反射率为２０％以上４０％以下。由此，能提供一种高质量的ＳＯＩ芯片及其制造方法，该ＳＯＩ芯片的生产性良好、低成本、滑移位错等较少，且该ＳＯＩ芯片是使外延层成长而将ＳＯＩ层增厚而成的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种SOI芯片(绝缘层上覆硅芯片)及其制造方法，此SOI芯片是在 作为基板的SOI芯片的SOI层上使硅外延层成长而将SOI层增厚而成的。
技术介绍
作为制造SOI芯片的方法，通常已知有芯片贴合法及SIM0X(S印aration by Implantation of oxygen ；植入氧分离)法。芯片贴合法例如将2片硅芯片经由氧化膜且 未使用粘接剂而结合，并通过热处理(1000 1200°C )提高结合强度后，通过磨削、研磨或 蚀刻等来将其中一方的芯片薄膜化，本方法的优点是SOI层的结晶性或埋入氧化膜(BOX 层)等的可靠性与通常的硅芯片相等，另外，缺点是SOI层的膜厚度均勻性有其限度(顶多 为士0. 3微米左右)，以及因为使用2片硅芯片来制造1片SOI芯片，致使成本高。另外，专利文献1提出一种贴合方法即离子植入剥离法(也称为SMARTCUT(注册 商标)法)。该方法在2片硅芯片的至少一方形成氧化膜，并对另一方的芯片的一主面植 入氢离子或稀有气体离子的至少一种，在芯片内部形成离子植入层后，将离子植入后的面 与另一方的硅芯片的一主面，经由氧化膜使其紧贴，随后，施加300本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＳＯＩ芯片的制造方法，在该ＳＯＩ芯片的ＢＯＸ层上具有ＳＯＩ层，在该ＳＯＩ层上，使外延层成长而将该ＳＯＩ层增厚，其特征在于，使用ＳＯＩ芯片来外延成长，该使所述外延层成长的ＳＯＩ芯片的在８００～１３００纳米的红外线波长区域中的红外线反射率为２０％以上４０％以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈哲史，
申请(专利权)人：信越半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP