存储器管理方法及使用所述方法的存储控制器技术

本发明专利技术涉及一种存储器管理方法及使用所述方法的存储控制器，所述方法包括将多个第一数据写入第一实体区块，并存储对应第一实体区块的第一标记值；将多个第二数据写入第二实体区块，并存储对应第二实体区块的第二标记值，其中第二标记值大于第一标记值；将第一实体区块的第一数据中的多个第三数据搬移到第三实体区块，其中上述第三数据为有效数据且上述第三数据符合特定态样；以及存储对应第三实体区块的第三标记值并将对应第二实体区块的第二标记值更新为第四标记值，其中第四标记值大于第三标记值且第三标记值大于等于第二标记值。本技术方案可以增进数据存取的效率且降低资源的耗费。

【技术实现步骤摘要】
存储器管理方法及使用所述方法的存储控制器
本专利技术是有关于一种存储器管理方法及使用所述方法的存储控制器，且特别是有关于一种修改标记值以解决数据写入不同步问题的存储器管理方法及使用所述方法的存储控制器。
技术介绍
数码相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储介质的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器(rewritablenon-volatilememory)具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性，最适于此些电子产品。因此，近年闪存存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。例如，广泛用于移动电子装置上的嵌入式多媒体卡(embeddedMultiMediaCard,eMMC)就是一种以闪存存储器作为存储介质的存储装置。固态硬盘随着与非闪存存储器(NANDflash)的价格降低而成为受欢迎的存储介质。然而，与非闪存存储器仍存在有待克服的缺点，例如无法有效率地进行数据的原地更新(in-placeupdate)，也就是将更新数据覆写在原数据的地址。因此，大部分基于闪存存储器的固态硬盘都采用了具有闪存存储器转换层(FlashTranslationLa本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器管理方法，适用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体区块，每一所述多个实体区块包括多个实体程序化单元，所述多个实体区块包括第一实体区块、第二实体区块及第三实体区块，其特征在于，所述存储器管理方法包括：将多个第一数据写入所述第一实体区块，并存储对应所述第一实体区块的第一标记值；将多个第二数据写入所述第二实体区块，并存储对应所述第二实体区块的第二标记值，其中所述第二标记值大于所述第一标记值；将所述第一实体区块的所述多个第一数据中的多个第三数据搬移到所述第三实体区块，其中所述多个第三数据为有效数据且所述多个第三数据符合特定态样；以及存储对应所述第三实体...

【技术特征摘要】
1.一种存储器管理方法，适用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体区块，每一所述多个实体区块包括多个实体程序化单元，所述多个实体区块包括第一实体区块、第二实体区块及第三实体区块，其特征在于，所述存储器管理方法包括：将多个第一数据写入所述第一实体区块，并存储对应所述第一实体区块的第一标记值；将多个第二数据写入所述第二实体区块，并存储对应所述第二实体区块的第二标记值，其中所述第二标记值大于所述第一标记值；将所述第一实体区块的所述多个第一数据中的多个第三数据搬移到所述第三实体区块，其中所述多个第三数据为有效数据且所述多个第三数据符合特定态样；以及存储对应所述第三实体区块的第三标记值并将对应所述第二实体区块的所述第二标记值更新为第四标记值，其中所述第四标记值大于所述第三标记值且所述第三标记值大于等于所述第二标记值。2.根据权利要求1所述的存储器管理方法，其特征在于，还包括：将第四数据写入所述第二实体区块；以及在所述可复写式非易失性存储器模块断电并重新启动之后，根据所述第三标记值及所述第四标记值依序更新所述多个第三数据及所述第四数据所对应的闪存存储器转换层映射表。3.根据权利要求2所述的存储器管理方法，其特征在于，其中根据所述第三标记值及所述第四标记值依序更新所述多个第三数据及所述第四数据所对应的所述闪存存储器转换层映射表的步骤包括：根据所述第三标记值及所述第四标记值依序更新存储所述多个第三数据的所述第三实体区块所对应的闪存存储器转换层映射表及存储所述第四数据的所述第二实体区块所对应的闪存存储器转换层映射表。4.根据权利要求1所述的存储器管理方法，其特征在于，其中当所述第一实体区块中所述多个第三数据所对应的逻辑页面在预定时间内并未被更新，则判断所述多个第三数据符合所述特定态样。5.根据权利要求1所述的存储器管理方法，其特征在于，其中所述第一标记值、所述第二标记值、所述第三标记值及所述第四标记值存储在所述多个实体区块的系统区块。6.一种存储控制器，用于存取可复写式非易失性存储器模块并通过连接接口电路耦接至主机系统，其特征在于，所述存储控制器包括：存储器接口控制电路，用以耦接至所述可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体区块，每一所述多个实体区块包括多个实体程序化单元，所述多个实体区块包括第一实体区块、第二实体区块及第三实体区块；处理器，耦接至所述连接接口电路单元及所述存储器接口控制电路；以及数据传输管理电路，耦接至所述处理器、所述连接接口电路单元及所述存储器接口控制电路，其中所述处理器将多个第一数据写入所述第一实体区块，并存储对应所述第一实体区块的第一标记值，其中所述处理器将多个第二数据写入所述第二实体区块，并存储对应所述第二实体区块的第二标记值，其中所述第二标记值大于所述第一标记值，其中所述处理器将所述第一实体区块的所述多个第一数据中的多个第三数据搬移到所述第三实体区块，其中所述多个第三数据为有效数据且所述多个第三数据符合特定态样，其中所述处理器存储对应所述第三实体区块的第三标记值并将对应所述第二实体区块的所述第二标记值更新为第四标记值，其中所述第四标记值大于所述第三标记值且所述第三标记值大于等于所述第二标记值。7.根据权利要求6所述的存储控制器，其特征在于，其中所述处理器将第四数据写入所述第二实体区块，其中在所述可复写式非易失性存储器模块断电并重新启动之后，所述处理器根据所述第三标记值及所述第四标记值依序更新所述多个第三数据及所述第四数据所对应的闪存存储器转换层映射表。8.根据权利要求7所述的存储控制器，其特征在于，其中所述处理器根据所述第三标记值及所述第四标记值依序更新存储所述多个第三数据的所述第三实体区块所对应的闪存存储器转换层映射表及存储所述第四数据的所述第二实体区块所对应的闪存存储器转换层映射表。9.根据权利要求6所述的存储控制器，其特征在于，其中当所述第一实体区块中所述多个第三数据所对应的逻辑页面在预定时间内并未被更新，则所述处理器判断所述多个第三数据符合所述特定态样。10.根据权利要求6所述的存储控制器，其特征在于，其中所述第一标记值、所述第二标记值、所述第三标记值及所述第四标记值存储在所述多个实体区块的系统区块。11.一种存储器管理方法，适用于可复写式非易...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖世田，谢宏志，萧又华，
申请(专利权)人：大心电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71