存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例涉及存储器装置及其操作方法。本发明专利技术实施例提供一种存储器装置，其包含存储器单元、局部位线、数据线、第一通过门电路及第二通过门电路以及感测放大器。所述局部位线耦合到所述存储器单元。所述第一通过门电路耦合到所述局部位线及所述数据线且经配置以将所述局部位线耦合到所述数据线。所述第二通过门电路耦合到所述数据线及所述全局位线且经配置以将所述数据线耦合到所述全局位线。所述感测放大器耦合到所述数据线。

Memory device and its operation method

An embodiment of the invention relates to a memory device and a method of operation. The embodiment of the invention provides a memory device, which comprises a memory unit, a local bit line, a data line, a first through gate circuit and a two gate, and a sense amplifier. The position line of the bureau is coupled to the memory unit. The first through gate circuit is coupled to the local line and the data line and is configured to coupling the local line to the data line. The second is coupled to the data line and the global bit line through a gate circuit and is configured to coupling the data line to the global bit line. The sensing amplifier is coupled to the data line.

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法
本专利技术实施例涉及存储器装置及其操作方法。
技术介绍
常规存储器装置包含存储器单元、局部位线、全局位线、字线、通过门电路、预充电器及交叉耦合p沟道金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)电路。在存储器装置的写入操作之前，预充电器将局部位线预充电到高电压电平，例如，电源电压的电平(在所述电平下操作存储器装置)。此后，局部位线在所述高电压电平下向左浮动。在存储器装置的写入操作期间，首先将低电压电平(例如，存储器装置的接地电压的电平)提供到全局位线。然后，通过门电路将局部位线电耦合到全局位线。此将低电压电平从全局位线传送到局部位线。此继而将局部位线从高电压电平朝向低电压电平牵引。随后，交叉耦合p沟道MOSFET电路将局部位线牵引到低电压电平。此时，字线启动，借此将数据的一位“0”写入到存储器单元。此写入操作消耗大量电力。
技术实现思路
根据本专利技术实施例，一种存储器装置包括：存储器单元；局部位线，其耦合到所述存储器单元；数据线；第一通过门电路，其耦合到所述局部位线及所述数据线且经配置以将所述局部位线耦合到所述数据线；全局位线；第二通过门电路，其耦合到所述数据线及所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器装置，其包括：存储器单元；局部位线，其耦合到所述存储器单元；数据线；第一通过门电路，其耦合到所述局部位线及所述数据线且经配置以将所述局部位线耦合到所述数据线；全局位线；第二通过门电路，其耦合到所述数据线及所述全局位线且经配置以将所述数据线耦合到所述全局位线；及感测放大器，其耦合到所述数据线。

【技术特征摘要】
2016.09.23 US 15/273,7441.一种存储器装置，其包括：存储器单元；局部位线，其耦合到所述存储器单元；数据线；第一通过门电路，其耦合...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彝梓，安贾纳·辛格，叶哲儒，谢豪泰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71