包含极性基质和金属掺杂剂的有机发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种在阳极与阴极之间包含至少一个发光层的电子器件，所述器件在所述阴极与阳极之间还包含至少一个混合层，其包含(i)采取实质上元素形式的选自Li、Na、K、Be、Sc、Y、La、Lu、Ti和V的电正性元素，以及(ii)至少一种实质上共价的电子传输基质化合物，其包含至少一个极性基团，所述极性基团选自：膦氧化物基团，其中所述实质上共价的电子传输基质化合物的还原电位，如果在相同条件下通过循环伏安法测量的话，具有的值比4,7‑二苯基‑1,10‑菲咯啉获得的值更负、优选地比(9‑苯基‑9H‑咔唑‑2,7‑二基)双(二苯基膦氧化物)获得的值更负、更优选地比(9,9‑二己基‑9H‑芴‑2,7‑二基)双(二苯基膦氧化物)获得的值更负、非常优选地比1,3,5‑三(1‑苯基‑1H‑苯并咪唑‑2‑基)苯获得的值更负、甚至更优选地比3‑苯基‑3H‑苯并[b]二萘并[2,1‑d:1',2'‑f]磷杂庚英‑3‑氧化物获得的值更负、最优选地比芘获得的值更负、也优选地比[1,1'‑联二萘]‑2,2'‑二基双(二苯基膦氧化物)获得的值更负；或二唑基团，其中所述实质上共价的电子传输基质化合物的还原电位，如果在相同条件下通过循环伏安法测量的话，具有的值比4,7‑二苯基‑1,10‑菲咯啉获得的值更负、优选地比(9‑苯基‑9H‑咔唑‑2,7‑二基)双(二苯基膦氧化物)获得的值更负、更优选地比(9,9‑二己基‑9H‑芴‑2,7‑二基)双(二苯基膦氧化物)获得的值更负、非常优选地比1,3,5‑三(1‑苯基‑1H‑苯并咪唑‑2‑基)苯获得的值更负、甚至更优选地比3‑苯基‑3H‑苯并[b]二萘并[2,1‑d:1',2'‑f]磷杂庚英‑3‑氧化物获得的值更负、最优选地比芘获得的值更负、也优选地比[1,1'‑联二萘]‑2,2'‑二基双(二苯基膦氧化物)获得的值更负，本发明专利技术还涉及所述器件的制造方法和其中包含的化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含极性基质和金属掺杂剂的有机发光器件
本专利技术涉及具有改进的电学性能的有机发光器件、特别是包含改进的电子传输和/或电子注入层的器件和/或包含改进的传输和/或电子注入层或改进的电荷产生层的OLED堆叠物，用于制备本专利技术的发光器件的方法，以及适用于本专利技术的半导体材料的电子传输基质化合物。
技术介绍
在至少一部分是基于由有机化学提供的材料的电子器件中，有机发光二极管(OLED)具有显著地位。自从Tang等人在1987年演示了高效的OLED(C.W.Tang等，Appl.Phys.Lett.51(12),913(1987))以来，OLED从有希望的候选者发展成高端商品化显示器。OLED包含一系列实质上由有机材料制成的薄层。所述层通常具有1nm至5μm的厚度。所述层通常利用真空沉积或例如利用旋涂或喷射打印从溶液形成。在来自于阴极的采取电子形式的和来自于阳极的采取空穴形式的载荷子注入到排列在中间的有机层中之后，OLED发光。所述载荷子注入在施加的外部电压、随后激子在发光区中的形成以及那些激子的辐射复合的基础上产生。至少一个电极是透明或半透明的，在大多数情况下采取透明氧化物例如铟锡氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
在阳极与阴极之间包含至少一个发光层的电子器件，所述器件在所述阴极与阳极之间还包含至少一个混合层，该混合层包含(i)采取实质上元素形式的选自Li、Na、K、Be、Sc、Y、La、Lu、Ti和V的电正性元素，以及(ii)至少一种实质上共价的电子传输基质化合物，其包含至少一个极性基团，所述极性基团选自：a)膦氧化物基团，其中所述实质上共价的电子传输基质化合物的还原电位，如果在相同条件下通过循环伏安法测量，具有的值比4,7‑二苯基‑1,10‑菲咯啉获得的值更负、优选地比(9‑苯基‑9H‑咔唑‑2,7‑二基)双(二苯基膦氧化物)获得的值更负、更优选地比(9,9‑二己基‑9H‑芴‑2,7‑二基)双(二苯基...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.23 EP 15173438.1;2015.06.23 EP 15173437.31.在阳极与阴极之间包含至少一个发光层的电子器件，所述器件在所述阴极与阳极之间还包含至少一个混合层，该混合层包含(i)采取实质上元素形式的选自Li、Na、K、Be、Sc、Y、La、Lu、Ti和V的电正性元素，以及(ii)至少一种实质上共价的电子传输基质化合物，其包含至少一个极性基团，所述极性基团选自：a)膦氧化物基团，其中所述实质上共价的电子传输基质化合物的还原电位，如果在相同条件下通过循环伏安法测量，具有的值比4,7-二苯基-1,10-菲咯啉获得的值更负、优选地比(9-苯基-9H-咔唑-2,7-二基)双(二苯基膦氧化物)获得的值更负、更优选地比(9,9-二己基-9H-芴-2,7-二基)双(二苯基膦氧化物)获得的值更负、非常优选地比1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯获得的值更负、甚至更优选地比3-苯基-3H-苯并[b]二萘并[2,1-d:1',2'-f]磷杂庚英-3-氧化物获得的值更负、最优选地比芘获得的值更负、也优选地比[1,1'-联二萘]-2,2'-二基双(二苯基膦氧化物)获得的值更负；或b)二唑基团，其中所述实质上共价的电子传输基质化合物的还原电位，如果在相同条件下通过循环伏安法测量，具有的值比4,7-二苯基-1,10-菲咯啉获得的值更负、优选地比(9-苯基-9H-咔唑-2,7-二基)双(二苯基膦氧化物)获得的值更负、更优选地比(9,9-二己基-9H-芴-2,7-二基)双(二苯基膦氧化物)获得的值更负、非常优选地比1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯获得的值更负、甚至更优选地比3-苯基-3H-苯并[b]二萘并[2,1-d:1',2'-f]磷杂庚英-3-氧化物获得的值更负、最优选地比芘获得的值更负、也优选地比[1,1'-联二萘]-2,2'-二基双(二苯基膦氧化物)获得的值更负。2.根据权利要求1的电子器件，其中所述电正性元素选自Li、Sc和Y。3.根据权利要求1或2的电子器件，其中所述电子传输基质化合物包含至少10个离域电子的共轭系统。4.根据权利要求3的电子器件，其中所述电子传输基质化合物包含至少一个芳香族或杂芳族环。5.根据权利要求3的电子器件，其中所述电子传输基质化合物包含通过共价键相连的或稠合的至少两个芳香族或杂芳族环。6.根据权利要求1-5任一项的电子器件，其中所述电正性元素与所述电子传输化合物的摩尔比低于0.5、优选地低于0.4、更优选地低于0.33、甚至更优选地低于0.25、甚至更优选地低于0.20、甚至更优选地低于0.17、最优选地低于0.15、更优选地低于0.13、也优选但优选程度较低地低于0.10。7.根据权利要求1-6任一项的电子器件，其中所述电正性元素与所述电子传输化合物的摩尔比高于0.01、优选地高于0.02、更优选地高于0.03、甚至更优选地高于0.05、最优选地高于0.08。8.根据权利要求1-7任一项的电子器件，其中所述膦氧化物极性基团是实质上共价结构的一部分，所述实质上共价结构包含直接附连到所述膦氧化物基团的磷原子的至少三个碳原子并且具有在16-250个原子的范围内、更优选地在32-220个原子的范围内、甚至更优选地在48-190个原子的范围内、最优选地在64-160个原子的范围内的共价结合原子的总计数，所述共价结合原子优选地选自C、H、B、Si、N、P、O、S、F、Cl、Br和I。9.根据权利要求1-8任一项的电子器件，其中所述膦氧化物极性基团选自被...

【专利技术属性】
技术研发人员：乌尔里希·登克尔，卡斯滕·洛特，沃洛季米尔·森科维斯基，托马斯·卡里兹，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE